陶瓷靶材的净尺寸成型工艺制造技术

技术编号:38331567 阅读:23 留言:0更新日期:2023-07-29 09:14
本发明专利技术公开了陶瓷靶材的净尺寸成型工艺,其技术方案要点是:包括以下步骤:采用立式座烧的方式进行装烧,在装烧时先在窑车台面上的四周放入刚玉砂围住,中间放入高温氧化铝空心球,用水平仪调节其水平状态,然后放入加工好的与坯体同质的垫片;之后在垫片上外围再次放入刚玉砂以固定空心球,放入的空心球用水平仪调节其水平状态并避免坯体收缩受阻,然后放入生坯底座并调整好间距,用刚玉砂均匀撒在生坯底座内以减少收缩受阻,把加工好的生坯小心放入生坯底座内并调整好使其垂直于生坯底座。本发明专利技术改进型的码放工艺可以改变生坯受热不均匀的现象,减少机加量,提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷靶材的净尺寸成型工艺


[0001]本专利技术涉及靶材生产领域,特别涉及陶瓷靶材的净尺寸成型工艺。

技术介绍

[0002]陶瓷靶材在光学、大面积玻璃、太阳能光伏、新型面板和半导体领域有广泛的应用,陶瓷材料稳定性好、镀膜膜层的性能优异,是一类不可替代的溅射靶材料。但陶瓷材料硬度高、耐磨性好。但在生产制造过程中也有很多问题,比如机加工困难、工时长、材料脆,报废率高。因此,经济可行的商业化产品的净尺寸成型是非常必要的。
[0003]以氮化硅为例,该材料具有强度高、硬度高、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、抗热震、抗蠕变、耐磨损性好的特性,并且在高温下仍能保持其优良性能,在高温燃气轮机、宇航、核工业、高效率发动机零部件、半导体等高
得到广泛的应用。
[0004]如现有公开号为CN102432274B的中国专利,其公开了一种三氧化二铝陶瓷靶材的生产工艺,包括以下步骤:1)将高纯氢氧化铝放入坩埚内高温分解,分解生成高纯度三氧化二铝颗粒,然后生成三氧化二铝微粒,最后形成35

50微米的三氧化二铝颗粒;2)形成2
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.陶瓷靶材的净尺寸成型工艺,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:先制做金属母模,再浇注或热压等弹塑性材料工艺翻制成弹性软模;步骤2:将陶瓷粉体和添加剂预混合,充分球磨混料,减少团聚;步骤3:对混合料进行造粒处理,形成符合要求的粒径分布;步骤4:将以上制备的粉料充填到CIP冷等静压包套中;步骤5:如最终产品尺寸较大,也可以先经过模压预成型再置入CIP冷等静压包套进一步等静压成型;步骤6:对包套做密封处理,采用真空塑料袋封装;步骤7:将上述完成的已密封的包套在CIP冷等静压缸中压制成生坯;步骤8:当密度达到理论值55%以上,经检测无误可进入烧结制程。2.根据权利要求1所述的陶瓷靶材的净尺寸成型工艺,其特征在于:所述步骤1中,在翻制成弹性软模之后,对弹性软膜的毛刺或边角处进行修模,并在弹性软膜的表面涂刷一层硅油。3.根据权利要求1所述的陶瓷靶材的净尺寸成型工艺,其特征在于:所述步骤2中,将陶瓷粉体和添加剂预混合,充分球磨混料减少团聚,其中添加剂的种类包括碳酸钙、碳酸锌、磷酸钙、磷酸铝。4.根据权利要求3所述的陶瓷靶材的净尺寸成型工艺,其特征在于:所述陶瓷粉与添加剂的质量比为97:3,所述碳酸钙、碳酸锌、磷酸钙、...

【专利技术属性】
技术研发人员:程银兵顾宗慧张玉玲庄志杰
申请(专利权)人:基迈克材料科技苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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