测试方法技术

本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间。在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
测试方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种测试方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)在生产前，存储器电路需要通过仿真来验证功能是否正常。但是，在调用反熔丝存储单元中的反熔丝模型进行仿真时，反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性相差大，导致存储器电路的仿真结果不可靠。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供一种测试方法，所述测试方法包括：
[0005]设置反熔丝模型为未熔断状态；
[0006]配置所述反熔丝模型的熔断条件；
[0007]将所述反熔丝模型配置为，当所述反熔丝模型满足所述熔断条件时，将所述反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；
[0008]其中，所述熔断条件包括所述反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且所述反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述设置反熔丝模型为未熔断状态，包括：
[0010]将所述反熔丝模型的标志位设置为第一值；
[0011]所述将所述反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态，包括：
[0012]将所述反熔丝模型的标志位从所述第一值调整为第二值。
[0013]根据本公开的一些实施例，在所述配置所述反熔丝模型的熔断条件之后，所述测试方法还包括：
[0014]将所述反熔丝模型还配置为，当所述标志位为第一值时，将第一电阻作为所述反熔丝模型；当所述标志位为第二值时，将第二电阻作为所述反熔丝模型；
[0015]其中，所述第二电阻的阻值小于所述第一电阻的阻值。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述反熔丝模型的熔断方式为直流熔断方式，当持续通入所述编程电压的时间大于或等于所述预设熔断时间时，确定所述编程时间大于或等于所述预设熔断时间；或，
[0017]所述反熔丝模型的熔断方式为脉冲熔断方式，所述编程时间内包含有多个编程脉冲，所述预设熔断时间内包含多个预设熔断脉冲，当所述编程脉冲的持续时间大于或等于所述预设熔断脉冲的持续时间且所述编程脉冲的数量大于或等于所述预设熔断脉冲的数量时，确定所述编程时间大于或等于所述预设熔断时间。
[0018]根据本公开的一些实施例，当所述编程电压大于或等于所述预设熔断电压时，通
过测量函数测量所述编程时间；所述测量函数将测量的所述编程电压的下降沿时刻与上升沿时刻的时间差确定为所述编程时间。
[0019]根据本公开的一些实施例，在所述设置反熔丝模型为未熔断状态之前，所述测试方法还包括：
[0020]设定所述反熔丝模型的基准参数；
[0021]其中，所述基准参数包括所述预设熔断电压、所述预设熔断时间以及作为所述反熔丝模型的第一电阻和第二电阻的阻值。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述测试方法还包括：
[0023]调用所述反熔丝模型构建校验电路；
[0024]以校验信号对所述校验电路进行仿真，得到校验结果；
[0025]根据所述校验结果，确定所述反熔丝模型是否准确。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述校验电路包括：
[0027]校验电源；
[0028]预设电阻，所述预设电阻的第一端与所述校验电源的第一端耦接；
[0029]所述反熔丝模型，所述反熔丝模型的第一端与所述校验电源的第二端耦接，所述反熔丝模型的第二端与所述预设电阻的第二端耦接；
[0030]其中，所述校验结果包括所述反熔丝模型的电压时序。
[0031]根据本公开的一些实施例，在所述根据所述校验结果，确定所述反熔丝模型是否准确之后，所述测试方法还包括：
[0032]当所述反熔丝模型准确时，调用所述反熔丝模型构建存储器电路；
[0033]对所述存储器电路进行仿真，得到仿真结果；
[0034]根据所述仿真结果，确定所述存储器电路的控制信号是否异常。
[0035]根据本公开的一些实施例，所述根据所述仿真结果，确定所述存储器电路的控制信号是否异常，包括：
[0036]当所述仿真结果中所述反熔丝模型的电压存在噪声时，确定所述存储器电路的控制信号异常。
[0037]本公开实施例所提供的测试方法中，将反熔丝模型的初始状态设置为未熔断状态，使反熔丝模型在熔断前保持未熔断特性。配置反熔丝模型的熔断条件，以预设熔断电压和预设熔断时间作为约束反熔丝模型熔断的两个必要条件，反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的熔断特性相匹配。将反熔丝模型配置为当满足熔断条件时，将反熔丝模型调整为熔断状态，以改变反熔丝模型的阻态特性。通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。
[0038]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0039]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的
要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是相关技术中反熔丝模型的电压时序图；
[0041]图2是根据一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；
[0042]图3是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；
[0043]图4是根据一示例性实施例示出的一种校验电路的结构示意图；
[0044]图5是根据一示例性实施例示出的一种校验结果的时序图；
[0045]图6是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；
[0046]图7是根据一示例性实施例示出的一种仿真结果的时序图；
[0047]图8是根据一示例性实施例示出的一种存储器电路的结构示意图；
[0048]图9是根据另一示例性实施例示出的一种测试方法的流程图；
[0049]图10是根据一示例性实施例示出的一种测试装置的框图；
[0050]图11是根据一示例性实施例示出的一种测试设备的框图。
[0051]图中：1、编程信号产生电路；2、反熔丝存储单元；3、列选择电路；4、功能电路；100、设置模块；200、第一配置模块；300、第二配置模块；400、计算机设备；401、处理器；402、存储器；Q1、第一晶体管；Q2、第二晶体管；Q3、第三晶体管；Q4、第四晶体管；Q5、第五晶体管；Q6、第六晶体管；Q7、第七晶体管；Q8、第八晶体管；Q9、第九晶体管；Q10、第十本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置所述反熔丝模型的熔断条件；将所述反熔丝模型配置为，当所述反熔丝模型满足所述熔断条件时，将所述反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，所述熔断条件包括所述反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且所述反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述设置反熔丝模型为未熔断状态，包括：将所述反熔丝模型的标志位设置为第一值；所述将所述反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态，包括：将所述反熔丝模型的标志位从所述第一值调整为第二值。3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，在所述配置所述反熔丝模型的熔断条件之后，所述测试方法还包括：将所述反熔丝模型还配置为，当所述标志位为第一值时，将第一电阻作为所述反熔丝模型；当所述标志位为第二值时，将第二电阻作为所述反熔丝模型；其中，所述第二电阻的阻值小于所述第一电阻的阻值。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述反熔丝模型的熔断方式为直流熔断方式，当持续通入所述编程电压的时间大于或等于所述预设熔断时间时，确定所述编程时间大于或等于所述预设熔断时间；或，所述反熔丝模型的熔断方式为脉冲熔断方式，所述编程时间内包含有多个编程脉冲，所述预设熔断时间内包含多个预设熔断脉冲，当所述编程脉冲的持续时间大于或等于所述预设熔断脉冲的持续时间且所述编程脉冲的数量大于或等于所述预设熔断脉冲的数量时，确定所述编程时间大于或等于所述预设熔断时间。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，当所述编程电压大于或...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃煜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：