使用下游压力感测的升华控制制造技术

一种控制气体流动的系统包括用于储存固体前体的安瓿。加热器用于加热所述安瓿，以及将所述固体前体升华为气态前体。质量流量控制器用于调节所述气态前体从所述安瓿到衬底处理室的流动。压力传感器用于测量输入至所述质量流量控制器的所述气态前体的压力。控制器用于使用基于所述压力和压力设定点的闭环控制以向所述电加热器供给功率。以向所述电加热器供给功率。以向所述电加热器供给功率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用下游压力感测的升华控制
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年11月19日申请的美国临时申请No.63/116,041的权益。上述申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及用于控制工艺气体流动至处理室的系统以及方法，且更具体地涉及用于基于在安瓿的下游所测量的升华气体的压力而控制安瓿加热的系统和方法。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可使用于处理例如半导体晶片的衬底。可在衬底上执行的示例性处理包括(但不限于)沉积、蚀刻、以及清洁。
[0005]可将衬底设置在处理室中的衬底支撑件上，例如基座或静电卡盘(ESC)。在处理期间，可将气体混合物引入处理室中，且可使用等离子体以启动化学反应。
[0006]可将衬底处理系统的控制器设置成控制气体流动进出处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种控制气体流动的系统，所述系统包含：安瓿，其用于储存固体前体材料；加热器，其用于加热所述安瓿，以及将所述固体前体材料升华为气态前体；质量流量控制器，其用于调节所述气态前体从所述安瓿到处理室的流动；压力传感器，其用于测量输入至所述质量流量控制器的所述气态前体的压力；以及控制器，其用于使用基于所述压力和压力设定点的闭环控制以向所述加热器供给功率。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器用于在所述压力小于所述压力设定点时，增加给所述加热器的功率，以及在所述压力大于所述压力设定点时，减少给所述加热器的功率。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述固体前体材料为钼或钨中的一者。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器用于基于所述压力以及所述压力设定点而改变供给至所述加热器的功率的占空比。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器用于基于所述压力和所述压力设定点而改变(a)和(b)中的至少一者，其中(a)包含供给至所述加热器的电压，以及(b)包含通过所述加热器的电流。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述闭环控制包含比例积分控制。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器用于基于所述压力与所述压力设定点之间的差值而确定调整，以及基于所述调整而选择性地调整向所述加热器供给的所述功率。8.根据权利要求1所述的系统，其还包含用于测量所述安瓿的温度的温度传感器，其中所述控制器还基于所述安瓿的所述温度和温度设定点而向所述加热器供给功率。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述控制器用于：基于所述压力与所述压力设定点之间的第一差值而确定第一调整；基于所述第一调整而选择性地调整所述温度设定点；基于所述安瓿的所述温度与所述温度设定点之间的第二差值而确定第二调整；以及基于所述第二调整而选择性地调整向所述加热器供给的所述功率。10.根据权利要求8所述的系统，其中所述控制器用于：基于所述安瓿的所述温度与所述温度设定点之间的第一差值而确定第一占空比；基于所述压力与所述压力设定点之间的第二差值而确定调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：马文，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：