用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统技术方案

技术编号:38251684 阅读:17 留言:0更新日期:2023-07-27 10:17
本发明专利技术提出一种用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统,该补偿方法包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。本发明专利技术可以进行全部及全面性的量测,以此通过全自动快速补偿值设定以及全自动生产中间监控以及实时回馈调整的功能,达到快速进入量产、快速达到最佳补偿值设定、智能生产中监控以及提升及稳定质量的效果。升及稳定质量的效果。升及稳定质量的效果。

【技术实现步骤摘要】
用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统


[0001]本专利技术有关于一种补偿方法及补偿系统及深度学习系统,尤指一种用于蚀刻工艺的补偿方法及补偿系统及深度学习系统。

技术介绍

[0002]在现代工艺中,随着电子产品逐渐小型化、集成化,电路讯号的频率随之日益提高,电路板线路及集成电路的线路也随之日趋细线化。由于线路越来越细,线路的截面积一致性对电阻、阻抗等电路特性的影像就越来越关键,些微的变动都会导致最终电器表现不如预期。
[0003]由于线路蚀刻的过程中,原始设计的线路布局密度,线路形状等因素,会造成蚀刻液的流动与接触状况有所不同,也造成不同的蚀刻速率,因此制作底片(或LDI程序时),须纳入上述考虑,针对不同特性的区域线路,制作合适的形状或宽窄调整。
[0004]传统上,生产人员依据经验作线路蚀刻的初始设定,并经由实际量测蚀刻结果进行参数调整。传统作法受限于量测效率以及生产压力,导致量测的位置不够充足,以及参数验证不够完善,导致线路生产质量不如预期。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的,在于提供一种用于蚀刻工艺的补偿方法,包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
[0006]本专利技术的另一目的,在于提供一种用于蚀刻工艺的补偿系统,包括量测装置、补偿装置以及影像生成装置。该量测装置拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像,并分析该蚀刻影像,产生该工件的一线路量测信息。该补偿装置耦合至该量测装置,根据该线路量测信息计算一蚀刻补偿信息。该影像生成装置耦合至该补偿装置,根据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像,并提供至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
[0007]本专利技术的另一目的,在于提供一种深度学习系统,用于配合如上所述的用于蚀刻工艺的补偿系统设置,该深度学习系统包括数据储存装置以及处理装置。该数据储存装置连接至该影像生成装置,由该影像生成装置接收该蚀刻影像以及该曝光影像以建立样本数据库。该处理装置连接至该数据储存装置以存取该样本数据库,其中该处理装置包括一深度类神经网络,利用该样本数据库所储存的该蚀刻影像以及该曝光影像训练该深度类神经网络。
[0008]因此,本专利技术可以进行全部及全面性的量测,以此通过全自动快速补偿值设定以及全自动生产中间监控以及实时回馈调整的功能,达到快速进入量产、快速达到最佳补偿值设定、智能生产中监控以及提升及稳定质量的效果。
附图说明
[0009]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例,并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0010]图1为本专利技术用于蚀刻工艺的补偿系统的方块示意图。
[0011]图2为本专利技术中线路剖面示意图。
[0012]图3为本专利技术中线路等角示意图。
[0013]图4为本专利技术深度学习系统与用于蚀刻工艺的补偿系统的组合方块示意图。
[0014]图5为本专利技术中深度学习系统的训练流程示意图。
[0015]图6为本专利技术工件蚀刻工艺线路补偿方法的流程示意图。
[0016]附图标记说明:
[0017]100补偿系统
[0018]10量测装置
[0019]11影像捕获设备
[0020]12图像处理装置
[0021]20补偿装置
[0022]30影像生成装置
[0023]40曝光装置
[0024]50影像检测装置
[0025]W工件
[0026]A1影像数据库
[0027]UW线路上幅宽度
[0028]DW线路下幅宽度
[0029]SH线路厚度
[0030]SL线路长度
[0031]200深度学习系统
[0032]60数据储存装置
[0033]70处理装置
[0034]80显影装置
[0035]90蚀刻装置
[0036]EP1曝光影像
[0037]EP2更新曝光影像
[0038]CP1蚀刻影像
[0039]AH光罩
[0040]步骤S01~S05。
具体实施方式
[0041]有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
,现就配合附图说明如下。再者,本专利技术中的附图,为说明方便,其比例未必按实际比例绘制,而有夸大的情况,该附图及其比例非用于限制本专利技术的范围。
[0042]本专利技术可以用于工件线路蚀刻流程,在线路蚀刻完成时,通过自动光学检测确认线路蚀刻后的形态回授补偿值,以修正曝光影像,以此在工艺中实时且全面性的修正蚀刻工艺,确保工艺中产出的工件可以标准化。另一方面亦可以避免大量工艺中受环境变化影响所导致的误差。本专利技术中的工件例如可以包含但不限于,印刷电路板(PCB)、电路软性电路板(FPC)、陶瓷基板、集成电路晶圆或集成电路芯片,该等实施例的变化非属本专利技术所欲限制的范围。
[0043]以下针对本专利技术的其中一实施例进行说明,请先参阅图1,为本专利技术用于蚀刻工艺的补偿系统的方块示意图,如图所示。
[0044]本实施例提供一种用于蚀刻工艺的补偿系统100,用于量测工件蚀刻后线路的各项数据,例如包括线路长度、宽度、形状以及截面积等信息。用于蚀刻工艺的补偿系统100主要包括量测装置10、耦合至量测装置10的补偿装置20以及耦合至补偿装置20的影像生成装置30。
[0045]量测装置10拍摄经一蚀刻工艺的工件W,以获得一蚀刻影像,并分析蚀刻影像,产生工件W的线路量测信息。于一实施例中,量测装置10包括影像捕获设备11以及连接或耦合至影像捕获设备11的图像处理装置12。
[0046]影像捕获设备11例如可以包括但不限定于线扫描摄影机(Line Scan Camera)或面扫描摄影机(Area Scan Camera)。于另一实施例中,量测装置10的影像捕获设备11可以包括双镜头装置(例如包括上视镜头以及侧视镜头),在上视方向上拍摄并获得线路上幅宽度以及线路下幅宽度,经由侧视方向上拍摄获取线路高度,并经由该等信息计算并获得线路截面积。于另一实施例中,量测装置10可以包括三维影像摄影机,通过3D扫描技术(例如飞时测距(Time of Fight,TOF)、三角测距(Triangulation)、立体视觉法)产生线路量测信息,该等获取线路量测信息的方式非属本专利技术所欲限制的范围。
[0047]图像处理装置12连接至影像捕获设备11以获得工件W的蚀刻影像,并产生工件W的线路量测信息。于一实施例中,线路量测信息包括线宽、线距、线路方向、线路厚度、线路体积或线路类型。于一实施例中,量测装置10的图像处理装置12可以根据蚀刻线路影像,全板面量测工件W,以获得工件W上全部线路的线路量测信息。
[0048]补偿装置20耦合至量测装置10,根本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。2.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,还包含:根据该蚀刻影像,瑕疵检测该工件,以获得该工件的一瑕疵检测信息。3.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该曝光装置包括数字直接成像曝光机、镭射直接成像装置、内层曝光机、外层曝光机、防焊曝光机、平行光曝光机或非平行光曝光机。4.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该工件包括印刷电路板、电路软性电路板、陶瓷基板、集成电路晶圆或集成电路芯片。5.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,根据该蚀刻影像,量测该工件的步骤包括:根据该蚀刻影像,全板面量测该工件,以获得该工件的该线路量测信息。6.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,根据该线路量测信息,计算该蚀刻补偿信息的步骤包括:根据该线路量测信息与一默认信息之间的差距,计算该蚀刻补偿信息。7.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该线路量测信息包括线宽、线距、线路方向、线路厚度、线路体积或线路类型。8.一种用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,包括:一量测装置,拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像,并分析该蚀刻影像,产生该工件的一线路量测信息;一补偿装置,耦合至该量测装置,根据该线路量...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹嘉骏徐敏堂王怡桦李伟圣
申请(专利权)人:由田新技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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