多温段同时退火的真空退火装置制造方法及图纸

一种多温段同时退火的真空退火装置，包括真空箱体、加热炉、温度传感器、集热罩、集热罩支架、薄膜托盘、托盘支撑杆和托盘调节机构；托盘调节机构包括支座、支撑架、主调节螺杆、调节架、辅调节螺杆、连接板和托盘调节杆。加热炉放置在真空箱体底部，集热罩支架环绕加热炉设置，集热罩安装在集热罩支架上；支座安装在真空箱体顶板上，支撑架安装在支座上，主调节螺杆位于支撑架和调节架的螺孔中，托盘支撑杆的上端固定在调节架上，下端伸入真空箱体内，薄膜托盘至少为两个，各薄膜托盘相隔一间距套装在托盘支撑杆下部段；托盘调节杆、连接板、辅调节螺杆和温度传感器的数量与薄膜托盘相同。此种退火装置可使多个薄膜样品在不同温度同时退火。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于薄膜退火的真空退火装置。
技术介绍
通过真空溅射法制备薄膜包括三个阶段从源材料中发射出粒子；粒子输运到基片； 粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。薄膜的结构取决于制备工艺条件，如气压、溅 射气体流量、射频功率、温度等参数，因而薄膜的结构和缺陷千差万别。薄膜原子的不 完善排列可能形成缺陷，如薄膜在生长过程中产生的空位、位错，吸附杂质会产生点缺 陷、线缺陷、台阶、晶界等。人们可以通过退火对薄膜进行再处理，以改变和控制薄膜 的结构，改善缺陷的状况，因而退火是改善溅射法所制备薄膜质量的有效热处理工艺。 对于不同的薄膜，其退火温度不同，退火温度的高低对薄膜相结构、表面化学组成、形 貌及光学性能的影响均不同。现有的多功能磁控溅射系统真空退火装置包括真空箱体、加热炉和样品台，加热炉 安装在真空箱体的上部，样品台为一个，安装在加热炉之下。此种结构的真空退火装置 一次只能对一个薄膜样品进行退火，因而既浪费时间，又浪费电力资源和水源，并影响 工作进度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种能够将多个薄膜样品在不同温度 同时进行退火的真空退火装置(简称多温段同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多温段同时退火的真空退火装置，包括真空箱体（１）、加热炉（２）、温度传感器、温度控制器，其特征在于还包括集热罩（４）、集热罩支架（３）、薄膜托盘（５）、托盘支撑杆（７）和托盘调节机构，托盘调节机构包括支座（９）、支撑架（１１）、主调节螺杆（１２）、调节架（１３）、辅调节螺杆（１４）、连接板（１５）和托盘调节杆（６）；　加热炉（２）放置在真空箱体（１）底部，集热罩支架（３）环绕加热炉设置，集热罩（４）安装在集热罩支架（３）上；　支座（９）安装在真空箱体（１）的顶 板上，支撑架（１１）安装在支座（９）上，主调节螺杆（１２）位于支撑架（１１）和调节架（１３）的螺孔中，托盘支...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，纪红萱，董成军，
申请(专利权)人：四川师范大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]