一种半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，通过在所述第一区域的半导体衬底中形成第一浅沟槽隔离结构，在第二区域中形成第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的上表面和第二浅沟槽隔离结构的上表面齐平，且均位于半导体衬底的表面上方，可以提高第二区域的第二浅沟槽隔离结构的最终高度，使得其最终不低于ACT区域，避免了产生低压器件半导体器件失效风险；通过专门的刻蚀工艺降低第一浅沟槽隔离结构的高度，在后续在第一区域形成栅极时不会在第一浅沟槽隔离结构外周出现残留多晶硅问题，不会发生半导体器件异常的问题，该步骤没有增加光罩，即基本没有增加工艺成本，平衡了高压区的第一浅沟槽隔离结构的最终高度和低压区的第二浅沟槽隔离结构的最终高度。第二浅沟槽隔离结构的最终高度。第二浅沟槽隔离结构的最终高度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]在当前0.11μm的逻辑工艺下，同时兼容了低压1.5VMOS管器件和高压7V/9V MOS管器件中，由于1.5V MOS管器件的栅氧厚度例如约为MOS管器件的栅氧厚度例如约为7V MOS管器件的栅氧厚度例如约为9V MOS管器件的栅氧厚度例如约为这就使得在高压区域(即形成高压MOS管器件的区域)和低压区域(即形成低压MOS管器件的区域)上形成厚栅氧后，去除低压区域上的厚栅氧时，需要长时间使用HF酸洗，导致了低压区域的STI(浅沟槽隔离结构)2的高度明显降低，且低压区域STI 2高度明显低于ACT(有源区)1高度，例如高度差为有源区和浅沟槽隔离结构交界处存在严重的凹陷(divot)缺陷，造成后续形成钴硅化合物时钴硅化合物形貌较差，且Divot还会造成反窄宽度效应(reverse narrow width effect)，容易出现半导体器件失效风险。同时，由于高压区域的STI高度明显高出ACT区域高度。例如高度差为在高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；步骤S2：在所述第一区域的半导体衬底中形成第一浅沟槽隔离结构，在所述第二区域中形成第二浅沟槽隔离结构，其中，所述第一浅沟槽隔离结构的上表面和所述第二浅沟槽隔离结构的上表面齐平，且均位于所述半导体衬底的表面上方；步骤S3：在所述半导体衬底上形成图形化的第一光刻胶层，图形化的所述第一光刻胶层暴露出所述第一区域的半导体衬底，并通过刻蚀工艺降低所述第一浅沟槽隔离结构的高度，使得所述第一浅沟槽隔离结构的上表面位于所述第二浅沟槽隔离结构的上表面和所述半导体衬底的表面之间；以及步骤S4：去除所述第一光刻胶层，并在所述第一区域的半导体衬底表面依次形成第一栅氧和图形化的第二光刻胶层，并以图形化的所述第二光刻胶层为掩模刻蚀所述第二区域的第一栅氧，并去除所述第二光刻胶层。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在步骤S1中，在所述半导体衬底上依次形成牺牲层和氮化硅层。3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S2包括：在所述第一区域的半导体衬底中形成第一浅沟槽，在所述第二区域的半导体衬底中形成第二浅沟槽，其中，所述第一浅沟槽的槽深和所述第二浅沟槽的槽深相同；在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽中填充氧化物，所述氧化物覆盖了所述第一浅沟槽外的所述第一区域的氮化硅层，以及所述第二浅沟槽外的所述第二区域的氮化硅层；通过CMP工艺平坦化处理所述第一浅沟槽和第二浅沟槽中的氧化物，并CPM停止在所述氮化硅层上，以形成第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，其中，所述第一浅沟槽隔离结构的上表面和所述第二浅沟槽隔离结构的上表面齐平，且均位于所述牺牲层表面的上方；去除所述氮化硅层。。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构的上表面与所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾文斌，卓明川，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：