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本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过在所述第一区域的半导体衬底中形成第一浅沟槽隔离结构，在第二区域中形成第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的上表面和第二浅沟槽隔离结构的上表面齐平，且均位于半导体衬底的表面上方，可以提高第二区域的第二...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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