快恢复二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种快恢复二极管及其制造方法，涉及微电子领域，解决了由于传统工艺制备的快恢复二极管的ＤＩＥ?ｔｏ?ＤＩＥ和ＷＡＦＥＲ?ｔｏ?ＷＡＦＥＲ开关速度均匀性问题。快恢复二极管包括：硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，还包括：形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。方法包括：在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均匀的二氧化硅层；用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；通过合金工艺，形成均匀的硅化物结。本发明专利技术应用于快恢复二极管的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及一种。
技术介绍
快恢复二极管(Fast Recovery Diode,以下简称FRD)是在普通二极管基础上引入 深能级金属杂质，形成复活中心，从而提高开关速度的高速开关器件。图IA-图IC为现有 技术FRD的制造方法示意图，如图1A-1C所示，首先用传统工艺在P型硅衬底上形成重掺杂 N型阳极，在金属淀积前的清洗完成后，直接淀积金属，而两步工艺之间的时间间隔里，硅片 表面会迅速形成不均勻的自然氧化层(二氧化硅层)，从而影响金属硅化物厚度的均勻性， 导致现有技术的FRD普遍存在芯片与芯片(DIE to DIE)和硅片与硅片(WAFER to WAFER) 开关速度均勻性问题。快恢复二极管的速度有差异，最终将导致这些快恢复二极管制备的产品也会有差 异。当速度的一致性不够时，就不能用在对开关一致性要求高的场合，降低了产品的品质和质量。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种快恢复二极管，能够解决DIE toDIE和 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。为解决上述技术问题，本专利技术快恢复二极管采用如下技术方案一种快恢复二极管，包括硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所 述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，还包括形成在所述重掺杂阳极上的白金 硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均勻的二氧化硅层。本专利技术实施例提供的快恢复二极管，通过在在金属淀积前的清洗完成后沉积一 层均勻的二氧化硅，保证了金属硅化物厚度的均勻性，从而解决了 DIE toDIE和WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。本专利技术所要解决的另一个技术问题在于提供一种快恢复二极管制造方法，能够解 决DIE to DIE禾口 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。为解决上述技术问题，本专利技术快恢复二极管制造方法采用如下技术方案一种快恢复二极管制造方法，包括在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均勻的二氧化硅层；用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；通过合金工艺，形成均勻的硅化物结。本专利技术实施例提供的快恢复二极管制造方法，通过在在金属淀积前的清洗完成后 沉积一层均勻的二氧化硅，保证了金属硅化物厚度的均勻性，从而解决了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。附图说明 图1A-1C为现有技术FRD的制造方法示意图；图2为本专利技术FRD实施例的结构示意图；图3为本专利技术FRD制造方法实施例的流程图；图4A-4C为本专利技术FRD的制造方法实施例的示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种，能够解决DIE to DIE和 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。图2为本专利技术FRD实施例的结构示意图，如图2所示，本专利技术实施例的快恢复二极 管包括硅衬底、淀积在硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在硅衬底上、且处于重掺杂阳极两侧 的场氧，还包括形成在重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在白金硅化物层上均勻的二氧化硅层。本专利技术实施例提供的快恢复二极管，通过在在金属淀积前的清洗完成后沉积一 层均勻的二氧化硅，保证了金属硅化物厚度的均勻性，从而解决了 DIE toDIE和WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。图3为本专利技术FRD制造方法实施例的流程图，如图3所示，本专利技术快恢复二极管制 造方法实施例包括步骤1、在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均勻的二氧化硅 层；步骤2、用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；步骤3、通过合金工艺，形成均勻的硅化物结。本专利技术实施例提供的快恢复二极管制造方法，通过在在金属淀积前的清洗完成后 沉积一层均勻的二氧化硅，保证了金属硅化物厚度的均勻性，从而解决了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。在上一实施例的基础上，进一步地，步骤2中所述均勻的二氧化硅层为采用双氧 水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化学气相沉淀的方法形成的。再进一步地，步骤2中的金属层为金属钼层。图4A-4C为本专利技术FRD的制造方法实施例的示意图，首先用传统工艺在P型硅衬 底上形成重掺杂N型阳极，再进行普通的淀积金属前的清洗，紧接着立即用本专利技术提供的 方法形成一层厚度均勻的二氧化硅，该层二氧化硅厚度均勻，且能有效防止自然形成的厚 度不均勻的二氧化硅层，如图4A所示；用溅射或者蒸发的方法淀积金属层，如图4B所示； 通过合金工艺，形成均勻的硅化物结，如图4C所示。本专利技术实施例提供的快恢复二极管制造方法，通过在在金属淀积前的清洗完成后 沉积一层均勻的二氧化硅，保证了金属硅化物厚度的均勻性，从而解决了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER开关速度均勻性问题。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应所述以权利要求的 保护范围为准。权利要求一种快恢复二极管，包括硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，其特征在于，还包括形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。2.一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均勻的二氧化硅层； 用溅射或者蒸发的方法淀积金属层； 通过合金工艺，形成均勻的硅化物结。3.根据权利要求2所述的快恢复二极管制造方法，其特征在于，所述均勻的二氧化硅层为采用双氧水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化学气相沉 淀的方法形成的。4.根据权利要求2所述的快恢复二极管制造方法，其特征在于， 所述金属层为金属钼层。全文摘要本专利技术公开了一种，涉及微电子领域，解决了由于传统工艺制备的快恢复二极管的DIE to DIE和WAFER to WAFER开关速度均匀性问题。快恢复二极管包括硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，还包括形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。方法包括在清洗后的淀积了重掺杂阳极和场氧的硅衬底上形成均匀的二氧化硅层；用溅射或者蒸发的方法淀积金属层；通过合金工艺，形成均匀的硅化物结。本专利技术应用于快恢复二极管的制造。文档编号H01L29/861GK101882631SQ20091005072公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月7日 优先权日2009年5月7日专利技术者商海涵 申请人:商海涵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复二极管，包括：硅衬底、淀积在所述硅衬底上的重掺杂阳极和淀积在所述硅衬底上、且处于所述重掺杂阳极两侧的场氧，其特征在于，还包括：形成在所述重掺杂阳极上的白金硅化物层和形成在所述白金硅化物层上均匀的二氧化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：商海涵，
申请(专利权)人：商海涵，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]