斜角蚀刻方法及半导体元件结构的制备方法技术

本公开提供一种斜角蚀刻方法及半导体元件结构的制备方法。该斜角蚀刻方法包括形成一目标层在一半导体基底上，以及形成一能量敏感层在该目标层上。该斜角蚀刻方法亦包括执行一能量处理制程以形成一处理部在该能量敏感层中。该处理部为一周围区。该斜角蚀刻方法还包括移除该处理部以使该能量敏感层的一余留部分在被该周围区所围绕的一中心区中，以及将该能量敏感层的该余留部分的一图案转移到该目标层。标层。标层。

【技术实现步骤摘要】
斜角蚀刻方法及半导体元件结构的制备方法


[0001]本申请案主张美国第17/562,193及17/562,633号专利申请案的优先权(即优先权日均为“2021年12月27日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种斜角蚀刻方法及半导体元件结构的制备方法。

技术介绍

[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同型态与尺寸规模，整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同型态的半导体装置的整合(integration)。
[0004]然而，该等半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在该等半导体元件中的整合变得越加复杂。该等半导体元件的制造与整合的复杂度中的增加可造成多个缺陷，例如在导电线中形成的空孔(void)，其由于难以填充高深宽比的开孔(opening)所造成。据此，有持续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种斜角蚀刻方法，包括：形成一目标层在一半导体基底上；形成一能量敏感层在该目标层上；执行一能量处理制程以形成一处理部在该能量处理层中，其中该处理部为在一周围区中；移除该处理部以使该能量敏感层的一余留部分为被该周围区所围绕的一中心区；以及将该能量敏感层的该余留部分的一图案转移到该目标层。2.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中该半导体基底的一斜角部被该处理部所覆盖。3.如权利要求2所述的斜角蚀刻方法，其中在该目标层蚀刻之后，暴露该半导体基底的该斜角部。4.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中该能量敏感层包括一交联化合物，该交联化合物具有一交联官能基。5.如权利要求4所述的斜角蚀刻方法，其中该交联官能基包括一双键结。6.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中该处理部直接接触该目标层。7.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中在移除该处理部之后，部分暴露该目标层。8.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中该能量敏感层的该余留部分的该图案借由一干蚀刻制程而转移到该目标层。9.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，还包括在该能量敏感层的该余留部分的该图案转移到该目标层之后，移除该能量敏感层的该余留部分。10.如权利要求1所述的斜角蚀刻方法，其中该能量处理制程为一电子束直写制程。11.一种半导体元件结构的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨圣辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：