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本公开提供一种斜角蚀刻方法及半导体元件结构的制备方法。该斜角蚀刻方法包括形成一目标层在一半导体基底上，以及形成一能量敏感层在该目标层上。该斜角蚀刻方法亦包括执行一能量处理制程以形成一处理部在该能量敏感层中。该处理部为一周围区。该斜角蚀刻方法...
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