【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置的布局
[0001]本专利技术涉及一种半导体存储装置的布局，特别是涉及一种包括三元内容可寻址存储器(ternarycontentaddressablememory,TCAM)的半导体存储装置的布局。
技术介绍
[0002]在传统存储器阵列结构中，常见以6颗晶体管的静态随机存取存储器(six
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transistorstatic
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randomaccessmemory,6T
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SRAM)单元作为位单元结构。随着存储器效能的提升，存储器位单元结构中可进一步包括两颗晶体管，因此，三元内容可寻址存储器(ternarycontentaddressablememory,TCAM)被广泛地使用以有效地加快数据的搜寻速度，以便于解决各种搜寻上的问题。然而，传统的三元内容可寻址存储器的匹配线之间易存在电荷共享(non
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chargesharingconcern)、低耦合(lowercouplingeffect)以及低阻抗等问题，可能导致匹配线上的节点电压错误下降，而导致误判，因而提高了相关装置的布局设置的难度。
技术实现思路
[0003]本专利技术的一目的在于提供一种半导体存储装置的布局，是改良三元内容可寻址存储器的布局结构，以有效地降低匹配线耦合问题，并避免电荷共享。
[0004]为达上述目的，本专利技术提供一种半导体存储装置的布局，包括基底以及三元内容可寻址存储器。三元内容可寻址存储器设置在该基底上且包括多个三元内容可寻址存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置的布局，其特征在于，包括：基底；三元内容可寻址存储器，设置在该基底上，该三元内容可寻址存储器中包括多个三元内容可寻址存储器单元，该些三元内容可寻址存储器单元中至少两个沿着对称轴呈镜像对称，其中各该三元内容可寻址存储器单元包括：两个存储单元，分别电连接至两条字线；以及逻辑电路，电连接至该些存储单元，各该逻辑电路包括：两个第一读取晶体管；以及两个第二读取晶体管，各该第二读取晶体管包括栅极以及两个源极/漏极区，该些第二读取晶体管的该些源极/漏极区分别电连接至两条匹配线以及该些第一读取晶体管，其中，该些字线平行地设置于该些匹配线之间。2.依据权利要求1所述的半导体存储装置的布局，其特征在于，该些字线通过该逻辑电路的中心。3.依据权利要求1所述的半导体存储装置的布局，其特征在于，各该存储单元包括静态随机存取存储器。4.依据权利要求1所述的半导体存储装置的布局，其特征在于，各该存储单元包括：第一反相器，包括输入端以及输出端；第二反相器，包括输入端以及输出端，该第二反相器的该输出端电连接该第一反相器的该输入端；第一晶体管，包括栅极以及两个源极/漏极区，该第一晶体管的该些源极/漏极区分别电连接至该第二反相器的该输出端以及第一位线；以及第二晶体管，包括栅极以及两个源极/漏极区，该第二晶体管的该些源极/漏极区分别电连接至该第二反相器的该输入端以及第二位线，并且该第二晶体管以及该第一晶体管的该些栅极电连接至该些字线之一。5.依据权利要求4所述的半导体存储装置的布局，其特征在于，各该第一读取晶体管包括栅极以及两个源极/漏极区，各该第一读取晶体管的该栅极电连接至搜寻线，且各该第二读取晶体管的该栅极电连接至该第一反相器的该输入端。6.依据权利要求5所述的半导体存储装置的布局，其特征在于，还包括：多个第一插塞，设置在该些第一晶体管的该些源极/漏极区与该栅极上，以及设置在该些第一读取晶体管与该些第二读取晶体管的该些源极/漏极区上；第一金属层，设置在该些第一插塞上以电连接该些第一插塞，其中，该第一金属层的第一部分设置在该第二晶体管的该栅极上，该第一金属层的该第一部分从该第一晶体管的该栅极上方延伸到该些第二读取晶体管之一的该栅极上方，并且，该第一金属层的第二部分设置在该些第一读取晶体管的该些源极/漏极区上；以及多个第二插塞，设置在该第一金属层上以电连接该些第...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾俊砚，郭有策，王淑如，黄俊宪，余欣炽，庄孟屏，黄莉萍，陈玉芳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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