一种18T抗辐照SRAM存储单元电路制造技术

本发明专利技术公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明专利技术的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

【技术实现步骤摘要】
一种18T抗辐照SRAM存储单元电路


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，尤其涉及一种18T抗辐照SRAM存储单元电路。

技术介绍

[0002]静态随机存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)作为各类处理器芯片中不可或缺的部件，其在芯片中的所占的面积也越来越大，SRAM的性能大大的影响着处理器的运行。近年来，CMOS技术不断地发展，其尺寸与供电电压也在不断下降。芯片的集成度也会不断地提高但这也带来了许多设计上的问题如供电电压的下降将导致SRAM敏感节点的临界电荷降低,SRAM的静态噪声容限也会相应的下降。
[0003]航天技术的不断发展也对集成电路设计的性能、可靠性提出了更高的要求。航天器或空间站的运行离不开核心处理器芯片，由于轻型卫星的尺寸有限，它们需要高密度的存储单元，由于SRAM存储单元具有高封装密度和改进的数字数据处理和卫星控制系统的逻辑性能,SRAM存储单元是用于此目的的有利选择。
[0004]但是，较低的节点电荷SRAM存储单元极易受到高能粒子的影响，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点，10个所述一类MOS管依次记为P1～P10，8个所述二类MOS管依次记为N1～N8，4个所述节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点，其中：一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构；一类MOS管P3和P7为所述第一存储节点上的上拉管，二类MOS管N3和N7为所述第一存储节点上的下拉管，一类MOS管P4和P8为所述第二存储节点上的上拉管，二类MOS管为N4和N8为所述第二存储节点上的下拉管；一类MOS管P5为所述第一冗余节点上的上拉管，一类MOS管P9和N5为所述第一冗余储节点上的下拉管，一类MOS管P6为所述第二冗余节点上的上拉管，二类MOS管P10和N6为所述第二冗余节点上的下拉管；一类MOS管P1的栅极与第二字线连接，一类MOS管P1的源极与第一位线连接；一类MOS管P2的栅极与第二字线连接，一类MOS管P2的源极与第二位线连接；二类MOS管N1的栅极与第一字线连接，二类MOS管N1的源极与第一位线连接；二类MOS管N2的栅极与第一字线连接，二类MOS管N2的源极与第二位线连接。2.根据权利要求1所述的18T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，各MOS管的具体连接关系为：一类MOS管P1的漏极与一类MOS管P5的漏极、P9的源极、P6的栅极、P8的栅极、PMOS晶体管P4的栅极、以及二类MOS晶体管N6的栅极、N4的栅极电连接；一类MOS管P2的漏极与一类MOS管P6的漏极、P10的源极、P5的栅极、P7的栅极、P3的栅极以及二类MOS管N5的栅极、N3的栅极电连接；一类MOS晶体管P3的漏极与P7的源极电连接，一类MOS管P3的源极与P4的源极、P5的源极、P6的源极均连接至电源VDD；一类MOS管P4的漏极与P8的源极电连接；一类MOS管P7的漏极与一类MOS管P9的栅极以及二类MOS管N3的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：许耀华，周月亮，柏娜，王翊，李赟菲，陈子涵，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：