【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及纳米电极柱诱导型叠层忆阻器。
技术介绍
1、随着现在科技的不断发展，基于冯诺依曼传统架构的摩尔定律走向物理极限，面向传统存算分离架构制约算力提升的重大挑战。忆阻器存算一体技术在底层器件、电路架构和计算范式上全面颠覆了冯诺依曼传统计算架构,可实现算力和能效的跨越式提升,同时,该技术还可利用底层器件的学习特性，支持实时片上学习，赋能基于本地学习的边缘训练新场景。忆阻器凭借其非易失性、纳米级低功耗和存算一体特性，正在重塑存储、计算和传感技术的格局，尤其为物联网、人工智能和边缘计算提供了能效突破的路径。
2、常规hfox/taox基rram(忆阻器)阵列与器件如图1所示，忆阻器阵列为1t1r结构，即一个mosfet和一个rram串联而成，1t1r结构的工艺结构图如右图所示，其中字线连接着mos管的栅极，源线连接着晶体管的源极，位线连接着忆阻器的上端。其存在如下问题：1)在神经形态计算领域，矩阵运算需要大量依靠矩阵运算。当忆阻器阵列面积较大时，其功耗开销较大，需要降低功耗；2)导电细丝的断裂和产生所需要电...
【技术保护点】
1.纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，包括从上至下依次堆叠的：顶电极层、电阻层HfOx、电阻层TaOx以及底电极层；顶电极层的下端中心位置设置有相同材质的电极柱；电阻层HfOx的上端中心位置开设有圆柱孔，电极柱配合插入所述圆柱孔内并完全填充。
2.根据权利要求1所述的纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，所述顶电极层、电极柱以及底电极层的材料均为TiN。
3.根据权利要求1所述的纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，所述顶电极层、电阻层HfOx、电阻层TaOx以及底电极层的厚度分别为：20nm、15nm、15nm以及20nm。
...【技术特征摘要】
1.纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，包括从上至下依次堆叠的：顶电极层、电阻层hfox、电阻层taox以及底电极层；顶电极层的下端中心位置设置有相同材质的电极柱；电阻层hfox的上端中心位置开设有圆柱孔，电极柱配合插入所述圆柱孔内并完全填充。
2.根据权利要求1所述的纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，所述顶电极层、电极柱以及底电极层的材料均为tin。
3.根据权利要求1所述的纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，所述顶电极层、电阻层hfox、电阻层taox以及底电极层的厚度分别为：20nm、15nm、15nm以及20nm。
4.根据权利要求1或3所述的纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨菲，赵宣洋，冯彪，张筱彧，谢玉洁，朱厚炜，束庆松，程义香，刘俊龙，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：
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