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本发明公开纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，属于半导体技术领域；纳米电极柱诱导型叠层忆阻器包括从上至下依次堆叠的：顶电极层、电阻层HfOx、电阻层TaOx以及底电极层；顶电极层的下端中心位置设置有电极柱，电极柱材料与顶电极是同材料；电阻层HfOx...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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