同时选中多个地址的加强型FPGASRAM阵列配置方法技术

本发明专利技术涉及一种同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，包括：确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址；采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据；采用普通写操作在第二地址部写入对应的配置数据；其中，在SRAM阵列中，加强型写操作起始地址以及其之后的地址为第一地址部，加强型写操作起始地址之前的地址为第二地址部。本发明专利技术的同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，采用加强型写操作方法，在不改变现有电路的情况下，在大规模SRAM阵列下，确保远离位线驱动电路的SRAM单元也可正确写入配置数据。SRAM单元也可正确写入配置数据。SRAM单元也可正确写入配置数据。

Enhanced fpgasram array configuration method with multiple addresses selected at the same time

【技术实现步骤摘要】
同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法


[0001]本专利技术属于SRAM阵列写入方法
，具体涉及一种同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法。

技术介绍

[0002]FPGA(Field－Programmable Gate Array现场可编程门阵列)通过接收一组特定的配置数据进行功能配置，不同的配置数据可使FPGA实现不同的功能。配置数据存储于FPGA的SRAM(Static Random
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Access Memory静态随机存取存储器)阵列中，因此确保SRAM阵列写入成功对FPGA实现各功能至关重要。
[0003]SRAM写操作需要将SRAM字线打开，同时位线设为需要写入的数据值。一般而言，SRAM组成方式为二维阵列，包括若干个SRAM单元，通过寻址电路每次选中一个地址，将一个地址上的数据同时写入，依次选择不同的地址，将所需的数据写入SRAM中。地址长为m，数据位宽为n的SRAM阵列如图1所示，写入操作时先选中地址0，将n位数据data[n
‑/>1:0]写入地址本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，其特征在于，包括：确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址；采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据；采用普通写操作在第二地址部写入对应的配置数据；其中，在所述SRAM阵列中，所述加强型写操作起始地址以及其之后的地址为所述第一地址部，所述加强型写操作起始地址之前的地址为所述第二地址部。2.根据权利要求1所述的同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，其特征在于，确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址，包括：通过实验测试得到所述SRAM阵列中无法写入配置数据的起始地址；按照预设长度选取该起始地址之前的地址作为所述加强型写操作起始地址。3.根据权利要求1所述的同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，其特征在于，采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据，包括：步骤1：选取所述第一地址部的当前写入地址，记为addr[k]；步骤2：获取所述当前写入地址的配置数据，并将所述配置数据依次写入与当前写入地址相邻的若干个地址中，所述相邻的若干个地址位于所述当前写入地址之前；步骤3：同时打开所述当前写入地址和所述相邻的若干个地址，将所述配置数据写入所述当前写入地址中；步骤4：令k＝k
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1，重复步骤1
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步骤4，直到所述加强型写操作起始地址的配置数据写入，所述第一地址部的所有地址对应的配置数据写入完成。4.根据权利要求3所述的同时选中多个地址的加强型FPGA...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡旭伟，王黎明，韦嶔，程显志，贾红，
申请(专利权)人：厦门智多晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：