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本发明涉及一种同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法，包括：确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址；采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据；采用普通写操作在第二地址部写入对应的配置数据；其中，在SRAM阵列中，加强型...
该专利属于厦门智多晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门智多晶科技有限公司授权不得商用。

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