【技术实现步骤摘要】
一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法
[0001]本专利技术属于微电子
，涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法。
技术介绍
[0002]21世纪以来，随着全球信息化的高速发展，数字业务、射频通信和微波技术飞速发展并被广泛的应用于社会的各种方面。其中异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，以下简称为HBT)由于有着很高的放大倍数β和高掺杂的基区带来的高截止频率f
T
，主要应用于高频率段的功率放大器，比如X波段(8～12GHz)和S波段(2～4GHz)，另外还应用于微波通信中的频率合成器件、A/D转换及D/A转换等方面。在微波通信及雷达方面HBT有着广泛的应用。
[0003]相比于早期的AlGaAs/GaAs HBT器件，InGaP/GaAs材料的HBT具有击穿电压大、电流增益大和高频特性更好等诸多优点，同时在材料性能上，由于Al的活泼性更高，AlGaAs/GaAs异质结容易形成深能级...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备成核层(2)；在所述成核层(2)上制备集电极欧姆接触层(3)；在所述集电极欧姆接触层(3)上制备刻蚀阻止层(4)；在所述刻蚀阻止层(4)上制备集电极过渡层(5)；在所述集电极过渡层(5)上制备第一集电区层(6)；在所述第一集电区层(6)上制备第二集电区层(7)；在所述第二集电区层(7)上制备p+GaAs基区层(8)；在所述p+GaAs基区层(8)上制备n
‑
InGaP发射区层(9)，所述p+GaAs基区层(8)和所述n
‑
InGaP发射区层(9)之间形成所述n
‑
InGaP发射区层(9)的Ga/In面与所述p+GaAs基区层(8)的Ga面接触的InGaP/GaAs异质结；在所述n
‑
InGaP发射区层(9)上制备第一帽层(10)；在所述第一帽层(10)上制备第二帽层(11)。2.根据权利要求1所述的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述p+GaAs基区层(8)上制备n
‑
InGaP发射区层(9)，包括：对所述p+GaAs基区层(8)表面进行由第一温度升温至第二温度、再由所述第二温度降温至所述第一温度的阶段式升降温预处理，且在所述第一温度和所述第二温度时均进行保温处理；在经过阶段式升降温预处理后的所述p+GaAs基区层(8)上通过阶梯升温方式外延生长所述n
‑
InGaP发射区层(9)。3.根据权利要求2所述的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一温度为480
‑
500℃、所述第二温度为530
‑
550℃，在所述第一温度和所述第二温度时的保温时间均为100s。4.根据权利要求2所述的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在经过阶段式升降温预处理后的所述p+GaAs基区层(8)上外延生长所述n
‑
InGaP发射区层(9)，包括：采用上吸气反应腔体结构的MOCVD设备，在经过阶段式升降温预处理后的所述p+GaAs基区层(8)上通过阶梯升温方式外延生长所述n
‑
InGaP发射区层(9)，源为PH3/TMGa/TMIn/Si2H6，驱气方式为脉冲载气驱动方式，所述阶梯升温方式为首先从第三温度升温至第四温度，再从所述第四温度升温至第五温度，且在所述第三温度、所述第四温度和所述第五温度时均进行保温处理。5.根据权利要求2所述的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述第三温度为550
±
5℃、所述第四温度为570
±
5℃，所述第五温度为590
±
5℃，且在所述第三温度、所述第四温度和所述第五温度的保温时间均为100s。6.根据权利要求1所述的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述衬底层(1)的材料为GaAs，所述成核层(2)的材料为AlGaAs，所述集电极欧姆接触层(3)的材料为n+GaAs，所述刻蚀阻止层(4)的材料为n+InGaP，所述集电极过渡层(5)的材料为n+
GaAs，所述第一集电区层(6)和所述第二集电区层(7)的材料均为n
‑
GaAs，所述第一帽层(10)的材料为n+...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚平，杨宇博，夏天文，吴旗召，
申请(专利权)人：西安唐晶量子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。