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本发明涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：选取GaAs衬底层；在GaAs衬底层上制备AlGaAs成核层；在AlGaAs成核层上制备n+GaAs集电极欧姆接触层；在n+GaAs集电极欧姆接触层上...
该专利属于西安唐晶量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安唐晶量子科技有限公司授权不得商用。

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