本说明书实施例提供四元体系半导体激光器界面生长温度控制系统，通过模块化协同控制实现了生长温度的精确实时调控，采用分段升温策略有效避免了界面热应力，结合保温控制确保了界面反应的充分完成，显著降低了界面缺陷密度和原子扩散效应，提高了材料结晶...

本发明提供用于高速光电器件的外延生长方法，通过将材料外延生长、性能表征与器件设计集成在一个闭环反馈系统中，利用实际外延结构的电学与光学性能实测参数来生成激光器电极与波导结构的设计方案，并据此反馈调整外延生长的工艺参数，实现了材料生长与器...

本说明书实施例提供GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统，包括：数据采集模块用于实时监测衬底托盘不同位置的实际温度和外延层生长厚度；温度调控模块用于根据预设目标温度范围独立调节各区域温度以形成温度梯度分布；载气控制模块用于根据...

本说明书实施例提供基于载气量调控的MOCVD波长均匀性优化处理系统，包括：数据采集模块，用于在MOCVD设备中设置不同载气量并进行实验，以及对生长后的外延层进行光谱测试以获取片内各位置的波长数据；模型建立模块，用于基于所述波长数据计算波...

本申请涉及外延片缺陷检测技术领域，具体涉及基于光学分析的VCSEL外延片表面缺陷检测方法，该方法包括：获取衬底图像，实时获取所有外延图像和温度数据；提取所有图像中的疑似缺陷区域；根据各外延图像与衬底图像中的疑似缺陷区域的重叠程度和密度特...

本发明涉及厚度检测技术领域，具体涉及一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法。该方法获取VCSEL外延片检测点的参考反射光谱图；根据参考层与谐振腔层的分布特征获取干扰程度；基于VCSEL外延片每层的预设厚度和折射率色散关系获取理...

本发明涉及工业检测技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片晶圆翘曲度检测方法，包括：获取待检测VCSEL外延片晶圆表面的三维高度场；基于所述原始三维高度场，通过求解变分优化模型以提取宏观翘曲场；将原始高度场与宏观翘曲场相减获得高频残余场；...

本申请涉及半导体厚度测量技术领域，尤其涉及一种基于激光干涉的VCSEL外延片厚度测量方法；方法包括：对于任一有效测量点，构建自适应带通滤波器，自适应带通滤波器的中心频率为有效测量点的校正频率中心，自适应带通滤波器的带宽与有效测量点的局部...

本发明属于图像处理技术领域，具体涉及一种基于图像处理的VCSEL生长过程实时监测方法，其方法包括：采集初始参考图像及各时刻的生长图像；对各时刻：计算沉积速率和累积突变性；通过数字散斑相关法获取增量位移场与相关性系数；基于增量位移场与当前...

本发明涉及应力测试技术领域，尤其涉及一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统。方法包括步骤：获取各测量点的PL光谱以及PL光谱的峰值波长，并将PL光谱分解为沿第一晶向和第二晶向的偏振分量；基于偏振分量的峰值强度，得到测量点的初始偏振正...

本发明属于半导体器件性能测试技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统，其方法包括：构建表征外延片的三维离散化模型和包含垂直电阻率、顶部横向电阻率及衬底漏电结非线性电阻的未知参数向量；定义物理响应函数，通过离散点拟合...

本发明属于图像检测技术领域，具体涉及一种基于图像处理的VCSEL外延片缺陷检测方法，方法包括：首先对采集的图像进行预处理；然后，通过计算图像子块的灰度峰值与混乱权重来确定背景灰度阈值，并基于此识别出目标像素点，计算得到表征麻点反射区的第...

本发明属于图像处理技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片厚度均匀性检测方法，其方法包括：获取VCSEL外延片进行空间对齐后的厚度图谱和良率图谱；得到厚度图谱中每个位置的全局背景厚度；计算各位置的邻域内厚度偏差的波动标准差；获取邻域异常分...

本发明属于半导体器件制造工艺控制技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法，其方法包括：根据VCSEL外延片生长过程中的工艺参数以及关键质量指标构建多回路的PID控制系统，在PID控制系统运行期间，对ARX模型进行在线辨...

本发明属于图像增强技术领域，具体涉及一种用于VCSEL外延片检测的图像增强方法，其方法包括：分析像素点的局部与全局灰度信息、结构张量特征，计算出每个像素点的缺陷显著值，用以量化其作为缺陷的可能性，以减弱外延片图像中条纹结构的干扰；并基于...

本发明涉及数据处理技术领域，更具体地，本发明涉及一种VCSEL外延片生长过程的实时数据监控预警方法，包括：利用MOCVD设备获取VCSEL外延片生长过程中在当前时刻外延片所用材料的折射率；确定当前时刻外延片的生长速率；确定当前时刻外延片...

本发明涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：选取GaAs衬底层；在GaAs衬底层上制备AlGaAs成核层；在AlGaAs成核层上制备n+GaAs集电极欧姆接触层；在n+GaAs集电极欧姆接触...

本发明公开了一种改善VCSEL外延片翘曲度的方法及激光器，能够大幅改善外延片翘曲度，降低破片风险，方法包括：1)将GaAs衬底置于MOCVD腔室中，通入AsH3、TMGa和Si2H6，生长GaAs缓冲层；2)通入TMAl，生长Al组分高...

本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层...

本发明公开了一种高质量异质隧穿结外延结构及制备方法，包括以下步骤：在MOCVD反应室中，在GaAs衬底表面外延生长一层缓冲层；在缓冲层表面外延生长N型DBR层；在N型DBR层表面依次交替外延生长量子阱、低掺杂P型AlxGa(1