本发明涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：选取GaAs衬底层；在GaAs衬底层上制备AlGaAs成核层；在AlGaAs成核层上制备n+GaAs集电极欧姆接触层；在n+GaAs集电极欧姆接触...

本发明公开了一种改善VCSEL外延片翘曲度的方法及激光器，能够大幅改善外延片翘曲度，降低破片风险，方法包括：1)将GaAs衬底置于MOCVD腔室中，通入AsH3、TMGa和Si2H6，生长GaAs缓冲层；2)通入TMAl，生长Al组分高...

本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层...

本发明公开了一种高质量异质隧穿结外延结构及制备方法，包括以下步骤：在MOCVD反应室中，在GaAs衬底表面外延生长一层缓冲层；在缓冲层表面外延生长N型DBR层；在N型DBR层表面依次交替外延生长量子阱、低掺杂P型AlxGa(1

本发明公开了一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaP/GaAs HBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生...

本发明公开了一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在低

本发明公开了一种能减少外延生长表面颗粒的MOCVD装置及方法，该方法包括：提供一MOCVD装置，该装置包含一传递箱，与传递箱相邻的第一反应腔，与传递箱相邻的第二反应腔，此外针对此装置，还提出了一种减少表面颗粒的材料生长方法，生长含In组...

一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法，包括：提供一金属衬底，衬底正面通过金属连接层连接有发光器件阵列，在金属衬底背面形成辅助图形，激光束在衬底背面聚焦，并在辅助图形引导下对衬底背面进行烧蚀，在衬底正面沿着发光阵列的间隙进行劈裂，使得发光器...

本发明公开了一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管，包括：位于底层的导电衬底；位于导电衬底表面第二焊接层；位于第二焊接层表面的第一焊接层；位于第一焊接层表面的扩散阻挡层；位于扩散阻挡层表面的镍银反射层；位于扩散阻挡层表面的Al层...

本发明公开了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043载气流...