一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层，最后在Al0.2Ga0.8As层的表面生长第二势垒层，实现量子阱有源层与阱垒界面之间超薄渐变隔断层的添加；克服了量子阱有源层与阱垒界面模糊的问题，增大了自由载流子的微分复合效率，以提高外延片的量子效率，进而提高了半导体激光器的发光性能。提高了半导体激光器的发光性能。提高了半导体激光器的发光性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器。

技术介绍

[0002]一般半导体激光器有源层厚度约为0.2
‑
0.5um，当有源层厚度减薄到德布罗意波长数量级时，就出现量子尺寸效应，这时载流子被限制在有源层构成的势阱内，该势阱称为量子阱，这导致了自由载流子特性发生重大变化。量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由于量子阱有源层阈值更低，量子效率更高，目前新型的半导体激光器如VCSEL(垂直腔面发射激光器)等均采用量子阱有源层。
[0003]现有的近红外波段半导体激光器通常采用AlGaAs/InGaAs的量子阱，由于势垒层和势阱层交替生长，而叠加In的溢出效应，会造成阱垒界面模糊，引起载流子微分复合效率降低，导致量子效率降低，严重限制半导体激光器的性能，因此，如何提高外延片量子效率变得尤为重要。

技术实现思路

[0004]针对上述缺陷或不足，本专利技术的目的在于提供一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的外延片，包括：衬底(1)，以及依次层叠于所述衬底上(1)的缓冲层(2)、量子阱结构层、保护层(7)，其特征在于，所述量子阱结构层包括，在缓冲层(2)上依次交替层叠的势垒层(3、6)、势阱层(4)、隔断层(5)，所述保护层(7)层叠于最外侧势垒层(6)的表面。2.根据权利要求1所述的半导体激光器的外延片，其特征在于，所述所述势垒层包括，第一势垒层(3)和第二势垒层(6)，且均为Al0.3Ga0.7As层。3.根据权利要求1所述的半导体激光器的外延片，其特征在于，所述隔断层(5)由靠近势阱层(4)一侧的GaAs向第二势垒层(6)渐变为Al0.2Ga0.8As。4.根据权利要求2所述的半导体激光器的外延片，其特征在于，所述第一势垒层(3)和第二势垒层(6)的厚度均为20nm。5.根据权利要求1所述的半导体激光器的外延片，其特征在于，所述势阱层(4)为In0.13Ga0.87As层，所述In0.13Ga0.87As层的厚度为8nm，所述势阱层(4)的波长为930nm。6.根据权利要求1所述的半导体激光器的外延片，其特征在于，所述缓冲层(2)为G...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚平，刘邦，夏天文，吴旗召，杨宇博，
申请(专利权)人：西安唐晶量子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：