一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法技术

本发明专利技术公开了一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaP/GaAs HBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生长的p型GaAs基极层，p型GaAs基极层表面生长的n型发射极InGaP层，n型发射极InGaP层表面生长的发射极帽层，将该结构的HBT外延片切片为接近正方形的样品，去掉发射极帽层，并湿法腐蚀至基极层，在基极层表面4个角处形成欧姆接触点，利用霍尔测试仪可评价其载流子浓度，方块电阻及迁移率等信息，本方法对极层材料特性的评估快速且有效。评估快速且有效。评估快速且有效。

【技术实现步骤摘要】
一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法


[0001]本专利技术属于半导体材料生长领域，具体涉及一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法。

技术介绍

[0002]异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor)在射频领域有这广泛的应用，应用最广泛的有GeSi/Si HBT和GaAs/InGaP HBT，近年来，GaAs/InGaP HBT广泛应用于手机的射频功率放大器(PA)，随着5G时代的到来，射频领域对GaAs/InGaP HBT 器件需求持续增长。
[0003]GaAs/InGaP HBT通常是以高掺的p型GaAs作为基极层，以n型InGaP作为发射极层，增益通常是HBT最重要的性能指标，而GaAs/InGaP HBT的GaAs基极层方阻及载流子浓度对器件的增益有较大影响，在实际GaAs/InGaP HBT外延生长结束后，通常需要确认基极层的方阻、载流子浓度及迁移率等信息，基极层的方阻通常可以在器件制作过程中设计一些test key图形来测试和计算，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，包括：提供一外延片，该外延片包括砷化镓衬底(101)，生长于砷化镓衬底(101)表面的子集电层(102)，子集电层(102)的掺杂类型为n型，生长于子集电层(102)表面的集电层(103)，集电层(103)的掺杂类型为n型，生长于集电层(103)表面的基极层(104)，基极层(104)为GaAs材料，掺杂类型为p型，生长于基极层(104)表面的发射极层(105)，发射极层(105)为InGaP材料，掺杂类型为n型，生长于发射极(105)表面的发射极帽层(106)。步骤一：将外延片待测区域切为长宽比介于0.9至1.1的矩形样品。步骤二：去除待测区域表面的帽层(106)，露出(106)下层的发射极层(105)。步骤三：将样品用腐蚀液腐蚀完InGaP层，露出基极层(104)。步骤四：在露出的基极层(104)表面四个角形成点状金属做欧姆接触点。步骤五：利用霍尔测试仪...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旗召，龚平，夏天文，杨宇博，刘邦，
申请(专利权)人：西安唐晶量子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：