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本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层，最...
该专利属于西安唐晶量子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安唐晶量子科技有限公司授权不得商用。

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