具有单晶基极结构的晶体管制造技术

本公开涉及具有单晶基极结构的晶体管。一种半导体管芯包括具有发射极、基极和集电极的晶体管。所述基极包括本征基极，所述本征基极定位于在第一半导体层的开口中生长的单晶半导体材料中。第二半导体层定位于所述第一半导体层上方并且包括单晶部分。在一些实施例中，在所述第二半导体层中形成开口，在所述开口中蚀刻下层第一半导体层的一部分以形成腔，在所述腔中生长单晶本征基极。述腔中生长单晶本征基极。述腔中生长单晶本征基极。

【技术实现步骤摘要】
具有单晶基极结构的晶体管


[0001]本专利技术大体上涉及具有基极结构的晶体管。

技术介绍

[0002]例如双极晶体管等一些晶体管包括基极作为晶体管电极之一。一些类型的双极晶体管，例如异质结双极晶体管(HBT)，可以用于高速切换应用。HBT通常针对发射极区和基极区实施不同的半导体材料类型，从而产生异质结。一些HBT可以处理高达数百GHz的极高频率的信号。HBT可以用于射频(RF)系统和需要高功率效率的应用中，例如用于蜂窝电话的RF功率放大器中。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的第一方面，提供一种用于形成包括晶体管的半导体管芯的方法，所述方法包括：
[0004]在包括第一半导体层和定位于所述第一半导体层上方的第二半导体层的晶片上，在所述晶片的第一区域处在所述第二半导体层中形成第一开口以暴露所述第一半导体层，所述第一半导体层定位于所述第一区域中的单晶半导体材料区正上方；
[0005]在所述形成所述第一开口之后，利用蚀刻化学物质去除所述第一半导体层的一部分以形成腔，所述蚀刻化学物质相对于所述第一区域中的所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括晶体管的半导体管芯的方法，其特征在于，所述方法包括：在包括第一半导体层和定位于所述第一半导体层上方的第二半导体层的晶片上，在所述晶片的第一区域处在所述第二半导体层中形成第一开口以暴露所述第一半导体层，所述第一半导体层定位于所述第一区域中的单晶半导体材料区正上方；在所述形成所述第一开口之后，利用蚀刻化学物质去除所述第一半导体层的一部分以形成腔，所述蚀刻化学物质相对于所述第一区域中的所述第一半导体层的半导体材料具有选择性且对所述第一区域中的所述第二半导体层的半导体材料具有选择性，其中所述去除所述部分暴露所述第一区域中的所述单晶半导体材料区的至少一部分并且暴露所述第二半导体层的横向邻近于所述第一开口的下侧部分；在所述腔中选择性生长单晶半导体材料，选择性生长的单晶半导体材料接触所述第一区域中的所述单晶半导体材料区和所述第二半导体层的下侧部分的一部分；形成晶体管的发射极，所述发射极包括定位于所述第一区域中的至少一部分；将所述晶片划分成包括第一管芯的多个管芯，其中所述第一管芯包括所述晶体管，所述晶体管包括定位于所述选择性生长的单晶半导体材料中的本征基极区以及包括定位于所述第一区域中的所述单晶半导体材料区中的部分的集电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半导体层的所述下侧部分的所述部分包括单晶半导体材料。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：在所述第二半导体层正上方形成所述晶体管的基极电极的硅化物结构；形成电耦合到所述硅化物结构的基极接触件。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，晶体管包括从所述单晶半导体材料区到所述基极电极的所述硅化物结构的单晶半导体材料连续路径。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括：在所述晶片上形成所述第一半导体层，其中所述单晶半导体材料区横向定位于所述晶片的电介质材料正中间，其中所述形成所述第一半导体层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：