绝缘介质窗清洗设备及方法技术

本申请提供一种绝缘介质窗清洗设备及方法，应用于晶圆加工技术领域，其中，绝缘介质窗清洗设备，包括：导电薄膜设置在电感耦合机台的绝缘介质窗上；在直流偏压的作用下，绝缘介质窗、腔体和腔体盖之间的等离子体，被库仑力吸引持续轰击绝缘介质窗表面，使得绝缘介质窗表面的沉积物无法附着在绝缘介质窗表面。通过在绝缘介质窗上增加一层导电薄膜，此层导电薄膜和腔体盖、腔体等形成电容耦合辉光放电，在直流偏压作用下，等离子体中大质量离子被库仑力吸引持续轰击绝缘介质窗表面，使得沉积物无法附着在绝缘介质窗表面，可以有效的对绝缘介质窗表面的沉积物进行清理，避免晶圆表面的颗粒物超标，造成的腔室稳定性降低的问题。造成的腔室稳定性降低的问题。造成的腔室稳定性降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
绝缘介质窗清洗设备及方法


[0001]本申请涉及晶圆加工
，尤其涉及一种电感耦合机台
，具体涉及一种绝缘介质窗清洗设备及方法。

技术介绍

[0002]电感耦合等离子体技术常被用于导体刻蚀(例如，铝、硅等)。工艺过程包含刻蚀和干法清理(也是等离子体方式)过程，上述两个过程非同时进行，但都需要在真空环境下进行。在进行蚀刻时，通常会在电感耦合机台的绝缘介质窗上生成沉积物，生成的沉积物容易造成晶圆表面颗粒物超标。
[0003]但是，原工艺中的干法清理过程无法有效去除沉积物，沉积物需定期开腔清理。干法清理(通常称为Wifeless Clean)本身是一种等离子体工艺过程，刻蚀过程中带来的沉积物，在清理过程不断被反应生成气态物质被抽走离开腔体。干法清理工艺的有效性是业界的一个公认难题。如干法清理过度容易损伤器件，如干法清理不足则会导致沉积物不断累积，且反应器内的不同区域沉积效果不同，无法通过干法清理保证所有工艺区域表面能够始终保持清洁，因此需要定期开腔人工干预处理，通过湿法清洁或更换新零件，才可以保持工艺状态的稳定性。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘介质窗清洗设备，应用于电感耦合机台，其特征在于，包括：导电薄膜、绝缘介质窗、腔体和腔体盖；所述导电薄膜设置在所述电感耦合机台的所述绝缘介质窗上；在直流偏压的作用下，所述绝缘介质窗、所述腔体和所述腔体盖之间的等离子体，被库仑力吸引持续轰击所述绝缘介质窗表面，使得所述绝缘介质窗表面的沉积物无法附着在所述绝缘介质窗表面，所述沉积物在导体刻蚀过程中产生。2.根据权利要求1所述的绝缘介质窗清洗设备，其特征在于，所述电感耦合机台，包括：抽气管道，所述沉积物被反应生成气态物质，通过所述抽气管道离开所述腔体。3.根据权利要求1或2所述的绝缘介质窗清洗设备，其特征在于，所述电感耦合机台，还包括：高频射频系统匹配器、低频射频系统匹配器、线圈和进气管道；高频射频系统匹配器上射频系统产生射频源导入到线圈，所述线圈在所述射频系统作用下产生交变电流，所述交变电流产生交变电磁场；所述线圈产生的交变电磁场形成的高频电磁波通过所述绝缘介质窗穿过所述导电薄膜馈入到所述腔体中因电感耦合产生辉光放电；工艺气体通过所述进气管道进入所述腔体并被电离，被电离后的所述工艺气体具备高活性参与晶圆表面化学反应；低频射频通过低频射频系统匹配器导入到所述导电薄膜上，通过所述导电薄膜馈入到所述腔体内实现电容耦合真空放电。4.根据权利要求3所述的绝缘介质窗清洗设备，其特征在于，所述导电薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张朋兵，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：