基板处理装置、基板处理方法和等离子体产生方法制造方法及图纸

提供了一种基板处理装置。该基板处理装置可以包括：具有内部空间的腔室；电极，被配置用于在内部空间中产生等离子体；以及电源单元，被配置用于向电极施加射频电压，其中电源单元可以包括：第一电源，被配置用于向电极施加具有第一频率的第一脉冲电压；第二电源，被配置用于向电极施加具有第二频率的第二脉冲电压，所述第二频率不同于所述第一频率；第三电源，被配置用于施加具有第三频率的射频电压，所述第三频率不同于所述第一频率和所述第二频率；以及相位控制构件，用于控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者。者。者。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法和等离子体产生方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、基板处理方法和等离子体产生方法。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件，对基板进行诸如光刻工艺、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洗等多种工艺以在该基板上形成期望的图案。在这些工艺当中，蚀刻工艺是从基板上形成的膜中去除所选加热区域的过程，并且使用湿蚀刻和干蚀刻。其中，将使用等离子体的蚀刻设备用于干蚀刻。
[0003]等离子体是指由离子或电子、自由基等组成的离子化气体状态。等离子体通过很高的温度或强射频(RF)电磁场来产生。在射频电磁场中，射频发生器向面向彼此的电极中的一者施加射频电压。射频发生器向该电极施加连续波射频或脉冲射频。当向电极施加连续波射频时，总是将具有恒定幅度的射频电压施加到电极上。相反，当向电极施加脉冲射频时，施加至电极的射频状态具有高态、或者低态或零态。高态是指脉冲开启，而低态或零态是指脉冲截止。脉冲射频的特征是采用脉冲截止状态。在脉冲开启状态中，如同在施加连续波射频的情况一样产生高离子能量，结果，晶片被蚀刻。在脉冲截止状态中，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的基板处理装置，包括：具有内部空间的腔室；电极，被配置用于在所述内部空间中产生等离子体；以及电源单元，被配置用于向所述电极施加射频电压，其中，所述电源单元包括：第一电源，被配置用于向所述电极施加具有第一频率的第一脉冲电压；第二电源，被配置用于向所述电极施加具有第二频率的第二脉冲电压，所述第二频率不同于所述第一频率；第三电源，被配置用于施加具有第三频率的射频电压，所述第三频率不同于所述第一频率和所述第二频率；以及相位控制构件，用于控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述相位控制构件控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者，使得所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位彼此不同。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述相位控制构件控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者，使得在所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位之间的差变为90
°
至270
°
。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述相位控制构件控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者，使得在所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位之间的差变为180
°
。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一电源被配置用于向所述电极施加具有所述第一频率的所述第一脉冲电压，所述第一频率高于所述第二频率，并且所述相位控制构件被配置用于基于所述第一脉冲电压使所述第二脉冲电压的相位移位，以在所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位之间产生差异。6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述第三电源被配置用于向所述电极施加具有第三频率的第三脉冲电压，所述第三频率低于所述第一频率和所述第二频率。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中所述第一电源被配置用于向所述电极施加具有所述第一频率的所述第一脉冲电压，所述第一频率高于所述第二频率，并且所述第三电源被配置用于使所述第三脉冲电压与所述第一脉冲电压同步并且向所述电极施加所述第三脉冲电压。8.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述相位控制构件连接到所述第一电源、所述第二电源和所述第三电源当中的所述第一电源和所述第二电源。9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，还包括：下电极单元，其具有作为所述电极的下电极，并且所述下电极在所述内部空间中支撑所述基板；以及上电极单元，其具有上电极，所述上电极面向所述下电极并且提供被供应至所述内部
空间的所述过程气体的供应路径。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括供气单元，用于向所述内部空间供应过程气...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：