【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]本专利技术涉及一种基板处理设备。更具体地,本专利技术涉及一种用于显示装置的制造的沉积设备。
技术介绍
[0002]平板显示装置因其轻量和薄型等的特性,已被用作替代阴极射线管显示装置的显示装置。作为这种平板显示装置的代表性的示例,包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
[0003]所述显示装置可以包括基板及形成于所述基板上的多个薄膜。所述薄膜可以通过物理气相沉积法(PVD:physical vapor deposition)、化学气相沉积法(CVD:chemical vapor deposition)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition)等沉积法形成。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种能够进行有效的沉积和清洗的基板处理装置。
[0005]然而,本专利技术不限于上述的目的,可以在不脱离本专利技术的构思及领域的范围的情况下以各种方式扩展。
[0006]为了实现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,包括:腔室,提供执行针对基板的工艺的空间;第一喷嘴单元,布置于所述腔室的内部;第二喷嘴单元,布置于所述腔室的内部,与所述第一喷嘴单元相邻;远程等离子体发生器,布置于所述腔室的外部,将清洗气体转换为等离子体状态;公共配管,布置于所述腔室的外部,与所述远程等离子体发生器连接,从所述远程等离子体发生器流入等离子体状态的所述清洗气体;第一连接管,连接所述公共配管和所述第一喷嘴单元且设置有第一公共阀;第二连接管,连接所述公共配管和所述第二喷嘴单元且设置有第二公共阀;源气体供应管,在所述腔室的外部与所述第一连接管连接,向所述第一连接管供应源气体且设置有第一供应阀;以及反应气体供应管,在所述腔室的外部与所述第二连接管连接,向所述第二连接管供应反应气体且设置有第二供应阀。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述源气体供应管在所述第一公共阀与所述第一喷嘴单元之间连接于所述第一连接管,所述反应气体供应管在所述第二公共阀与所述第二喷嘴单元之间连接于所述第二连接管。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一喷嘴单元排出所述源气体或所述清洗气体,所述第二喷嘴单元排出所述反应气体或所述清洗气体。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,在所述第一公共阀和所述第二公共阀被关闭且所述第一供应阀和所述第二供应阀被开启的状态下,所述第一喷嘴单元向所述基板排出所述源气体,所述第二喷嘴单元向所述基板排出所述反应气体。5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,在所述第一公共阀和所述第二公共阀被开启且所述第一供应阀和所述第二供应阀被关闭的状态下,所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元向所述基板排出等离子体状态的所述清洗气体。6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:第一排气泵,与所述腔室连接,排放所述腔室的内部的气体;以及第二排气泵,与所述公共配管连接,排放所述公共配管的内部的气体。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:第一排气管,连接所述腔室和所述第一排气泵且设置有第一排气阀;以及第二排气管,连接所述公共配管和所述第二排气泵且设置有第二排气阀。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一排气阀和所述第二排气阀依次被开启和关闭。9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一排气阀和所述第二排气阀同时被开启和关闭。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元中的每一个包括等离子体发生部。11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元分别配备为多个,并且沿一方向交替排列。12.一种基板处理装置,包括:腔室,提供执行针对基板的工艺的空间;第一喷嘴单元,布置于所述腔室的内部;第二喷嘴单元,布置于所述腔室的内部,与所述第一喷嘴...
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