处理基板方法技术

公开了一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。操作。操作。

【技术实现步骤摘要】
处理基板方法


[0001]本专利技术涉及基板处理方法，并且更特别地涉及通过使用等离子体来处理基板的方法。

技术介绍

[0002]等离子体由非常高的温度、强电场或高频电磁场(RF电磁场)产生，并且等离子体是指由离子、电子、自由基等组成的电离气体状态。在半导体装置制造过程中，使用等离子体执行各种过程。例如，蚀刻过程通过使等离子体中包含的自由基和离子颗粒与基板碰撞来执行。
[0003]在通过产生微波来产生等离子体的基板处理设备的情况下，在基板处理设备中包括的部件的耐久性在过程期间降低。因此，在执行基板的等离子体处理预定次数之后，维护工作、诸如更换部件被定期地执行。当部件的耐久性达到临界点并更换部件时，包含原始存在的副产物的所更换部件安置在基板处理设备内侧。当在所更换部件的表面上包括副产物(例如，水分和/或颗粒)的状态下对基板执行等离子体处理时，在其中执行基板处理的处理空间内侧的污染水平增加，从而导致基板处理缺陷。此外，副产物粘附到基板的表面，从而阻止对基板进行有效等离子体处理。
[0004]此外，当使用执行吹扫操作以移除在部件表面中包括的副产物的方法时，存在维护所需的时间变长的问题。当维护工作长时，它导致基板的处理效率降低的问题。此外，难以通过简单地执行吹扫操作来容易地移除粘附到部件表面上的微小凹处的副产物。

技术实现思路

[0005]本专利技术致力于提供一种能够有效地执行基板处理设备的维护工作的基板处理方法。
[0006]本专利技术还致力于提供一种能够快速地执行基板处理设备的维护工作的基板处理方法。
[0007]本专利技术还致力于提供一种能够在更换基板处理设备中包括的部件之后有效地移除在部件表面中包括的副产物的基板处理方法。
[0008]本专利技术的目的不限于此，并且本领域的普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
[0009]本专利技术的示例性实施方案提供一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。
[0010]根据示例性实施例，在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的气氛可以形成为大
气压，并且所述处理空间的温度形成为100摄氏度至200摄氏度。
[0011]根据示例性实施例，在所述烘烤吹扫操作中，可以将吹扫气体供应到所述处理空间。
[0012]根据示例性实施例，所述后备操作可以包括：吹扫所述处理空间的一次吹扫操作；以及在所述一次吹扫操作之后，对所述处理空间执行二次吹扫的二次吹扫操作。
[0013]根据示例性实施例，所述烘烤吹扫操作可以在所述一次吹扫操作之前执行。
[0014]根据示例性实施例，在所述一次吹扫操作中，可以将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，并且将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且在所述二次吹扫操作中，通过增加所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，并且将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。
[0015]根据示例性实施例，副产物可以包括在部件中包含的水分和/或附着到部件的颗粒。
[0016]本专利技术的另一个示例性实施例提供一种更换基板处理设备中包括的部件并且后备所述基板处理设备的基板处理方法，其中所述基板处理设备的后备包括用于移除包括在所述部件中包含的水分和/或附着到所述部件的颗粒的副产物的烘烤吹扫操作，并且所述烘烤吹扫操作包括形成用于在高温度下处理基板的处理空间，以及通过在高温度下将吹扫气体供应到所述处理空间来吹扫所述处理空间。
[0017]根据示例性实施例，所述基板处理设备的所述后备还可以包括一次吹扫操作，所述一次吹扫操作将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且所述一次吹扫操作可以在所述烘烤吹扫操作之后执行。
[0018]根据示例性实施例，所述基板处理设备的所述后备还可以包括二次吹扫操作，所述二次吹扫操作通过升高所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。
[0019]根据示例性实施例，在烘烤吹扫操作中，所述处理空间中的压力可以形成为大气压，并且在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的温度可以形成为100摄氏度至200摄氏度。
[0020]根据示例性实施例，所述基板处理设备可以是用于通过施加微波以在所述处理空间中产生等离子体来处理基板的设备。
[0021]根据本专利技术的示例性实施例，可以有效地执行基板处理设备的维护工作。
[0022]此外，根据本专利技术的示例性实施例，可以快速执行所述基板处理设备的维护工作。
[0023]此外，根据本专利技术的示例性实施例，可以在更换基板处理设备中包括的部件之后有效地移除在部件表面中包括的副产物。
[0024]本专利技术的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员从本说明书和附图中可以清楚地理解未提及的效果。
附图说明
[0025]图1是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备的图解。
[0026]图2是根据本专利技术的示例性实施例的基板处理方法的流程图。
[0027]图3是示意性地示出根据图2的示例性实施方案的在维护操作中处理空间的温度的图。
[0028]图4是其中根据图2的示例性实施例执行等离子体处理操作的基板处理设备的示意性图解。
[0029]图5是示意性地示出在根据图2的示例性实施例完成更换操作之后所更换部件的表面的放大图。
[0030]图6是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行烘烤吹扫操作的基板处理设备的图解。
[0031]图7是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行一次吹扫操作的基板处理设备的图解。
[0032]图8是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行二次吹扫操作的基板处理设备的图解。
具体实施方式
[0033]在下文中，将参考附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。可以各种形式修改本专利技术的示例性实施例，并且本专利技术的范围不应被解释为由下面描述的示例性实施例限制。将提供本示例性实施例以向本领域技术人员更完整地解释本专利技术。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。
[0034]诸如第一和第二的术语用于描述各种组成元件，但是所述组成元件不受术语的限制。术语仅仅是用于将一个组成元件与另一个组成元件进行区分。例如，在不脱离本专利技术的范围的情况下，第一组成元件可以称为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的气氛形成为大气压，并且所述处理空间的温度形成为100摄氏度至200摄氏度。3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述烘烤吹扫操作中，将吹扫气体供应到所述处理空间中。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述后备操作包括：吹扫所述处理空间的一次吹扫操作；以及在所述一次吹扫操作之后，对所述处理空间执行二次吹扫的二次吹扫操作。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烘烤吹扫操作在所述一次吹扫操作之前执行。6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述一次吹扫操作中，将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间中的泄漏，并且将供应到所述处理空间中的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且在所述二次吹扫操作中，通过增加所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间中的泄漏，并且将供应到所述处理空间中的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述副产...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相林，郑道焕，崔显圭，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：