静电卡盘系统及半导体处理设备技术方案

本发明专利技术公开了一种静电卡盘系统及半导体处理设备，静电卡盘系统包括：能够相对反应腔的底壁进行上下移动的静电卡盘，以及分别与静电卡盘连接的射频功率源和直流电源，静电卡盘与射频功率源和直流电源之间分别形成有射频通路和直流通路；相互连接的第一射频阻挡部和第二射频阻挡部；第一射频阻挡部位于直流通路上，并设置在静电卡盘上，且随静电卡盘相对反应腔的底壁上下移动，第一射频阻挡部用于限制射频通路中的射频电流耦合到直流通路上；第二射频阻挡部设置在反应腔的底壁上的开口处，开口用于直流通路与直流电源连接；第二射频阻挡部用于阻止射频电流从开口泄漏至反应腔外部。部用于阻止射频电流从开口泄漏至反应腔外部。部用于阻止射频电流从开口泄漏至反应腔外部。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘系统及半导体处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体处理
，特别涉及一种静电卡盘系统及半导体处理设备。

技术介绍

[0002]目前，半导体工艺设备的下电极结构一般包括静电卡盘、射频系统及直流供电系统。静电卡盘(Electrostatic Chuck,ESC)包括自上至下依次设置的陶瓷层、加热层及基座，陶瓷层内部有吸附电极用于吸附待加工工件，加热层内部含有加热丝用于对待加工工件进行加热。
[0003]即所述半导体工艺设备为等离子体刻蚀设备时，所述静电卡盘兼具射频电流传导与静电吸附功能，在刻蚀过程中，射频电流将沿着静电卡盘的金属表面传导，而直流电流则导入静电卡盘陶瓷层内部的直流电极中。此过程中，直流电极附近的射频电流将以容性耦合的形式串扰至直流回路中，并沿着直流输入路线向下传导，造成不利影响：1)局部损失的射频能量将影响晶圆表面的刻蚀均匀性；2)缺少滤波的直流回路将射频电流引出至腔体外导致射频泄漏，可能损坏直流电源，也可能对操作人员造成安全隐患。因此，在现有的实施方案中，通常在直流电极近端接入高阻薄膜电阻，再通过同轴电缆将薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘系统，其设置在等离子体处理设备的反应腔内，包括：能够相对所述反应腔的底壁进行上下移动的静电卡盘，以及分别与所述静电卡盘连接的射频功率源和直流电源，所述静电卡盘与所述射频功率源和直流电源之间分别形成有射频通路和直流通路；其特征在于，还包括:相互连接的第一射频阻挡部和第二射频阻挡部；所述第一射频阻挡部位于所述直流通路上，并设置在所述静电卡盘上，且随所述静电卡盘相对所述反应腔的底壁上下移动，所述第一射频阻挡部用于限制所述射频通路中的射频电流耦合到所述直流通路上；所述第二射频阻挡部设置在所述反应腔的底壁上的开口处，所述开口用于所述直流通路与直流电源连接；所述第二射频阻挡部用于阻止所述射频电流从所述开口泄漏至所述反应腔外部。2.如权利要求1所述的静电卡盘系统，其特征在于，还包括：直流电极，其设置在所述静电卡盘内；直流引脚，其第一端贯穿所述静电卡盘与所述直流电极连接；所述第一射频阻挡部设置在所述静电卡盘上与所述直流引脚的第二端连接。3.如权利要求2所述的静电卡盘系统，其特征在于，还包括：位于所述直流通路上的同轴电缆，第一射频阻挡部位于静电卡盘底部，所述同轴电缆的两端分别与第一射频阻挡部和直流电源电连接。4.如权利要求3所述的静电卡盘系统，其特征在于，所述第一射频阻挡部两端分别设置有隔离垫片，所述直流引脚的第二端贯穿位于所述第一射频阻挡部第一端的所述隔离垫片，所述同轴电缆贯穿位于所述第一射频阻挡部第二端的所述隔离垫片。5.如权利要求3所述的静电卡盘系统，其特征在于，所述第二射频阻挡部位于直流通路上，所述同轴电缆通过所述第二射频阻挡部与所述直流电源电连接，所述第二射频阻挡部固定在所述反应腔的底壁上的开口处。6.如权利要求5所述的静电卡盘系统，其特征在于，所述第一射频阻挡部和所述第二射频阻挡部至少包括电阻、空心电感或磁环电感之中的一者。7.如权利要求5所述的静电卡盘系统，其特征在于，所述第二射频阻挡部两端分别设有隔离垫片，所述同轴电缆贯穿位于所述第二射频阻挡部第一端的所述隔离垫片，位于所述第二射频阻挡部第二端的所述隔离垫片与所述反应腔的底壁固定。8.如权利要求3所述的静电卡盘系统，其特征在于，所述第二射频阻挡部包括屏蔽层以...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智昊，徐朝阳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：