聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置，聚焦环升降机构用于对一真空反应腔内的聚焦环进行升降，所述真空反应腔内设置一基座，所述基座上设置有一静电吸盘，所述聚焦环环绕设置于所述静电吸盘的外周，所述聚焦环升降机构包括升降杆以及套设在所述升降杆外的外套筒，所述外套筒贯穿所述基座后抵接所述聚焦环的底部，所述升降杆与外套筒螺纹连接，通过旋转所述升降杆能够使所述升降杆相对所述外套筒沿竖向升降，进而驱使所述聚焦环升降。在聚焦环被刻蚀一段时间发生损耗后，可通过旋转升降杆以使升降杆相对外套筒沿竖向上升，进而驱述聚焦环上升，以保持聚焦环的上表面不低于晶圆的上表面，进而保证晶圆刻蚀的均一性。蚀的均一性。蚀的均一性。

【技术实现步骤摘要】
聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置。

技术介绍

[0002]现有技术中，利用等离子体刻蚀设备对晶圆进行等离子刻蚀时，承载有被处理晶圆的基座周围通常环绕设置有聚焦环，聚焦环能够改善待处理晶圆的边缘附近的等离子体分布的均匀，提高刻蚀均一性。
[0003]然而，在等离子体蚀刻晶圆的过程中，聚焦环也会被损耗，导致聚焦环的上表面的高度慢慢的低于被处理晶圆的上表面，从而导致被处理晶圆的边缘等离子体分布的不均匀。常规做法是在聚焦环损耗到一定程度时停机进行及时更换，聚焦环的更换通常需要拆开真空反应腔来直接进行更换，但这样的方式增加了人工成本和更换时间，容易影响生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种聚焦环升降机构及改善腔体刻蚀均一性的装置，解决了现有等离子体蚀刻晶圆时聚焦环被损耗需要更换带来的各种问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供一种聚焦环升降机构，用于对一真空反应腔内的聚焦环进行升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚焦环升降机构，用于对一真空反应腔内的聚焦环进行升降，所述真空反应腔内设置一基座，所述基座上设置有一静电吸盘，所述聚焦环环绕设置于所述静电吸盘的外周，其特征在于，所述聚焦环升降机构包括升降杆以及套设在所述升降杆外的外套筒，所述外套筒贯穿所述基座后抵接所述聚焦环的底部，所述升降杆与外套筒螺纹连接，通过旋转所述升降杆能够使所述升降杆相对所述外套筒沿竖向升降，进而驱使所述聚焦环升降。2.根据权利要求1所述的聚焦环升降机构，其特征在于，所述外套筒具有内螺纹，所述升降杆具有与所述内螺纹相适配的外螺纹。3.根据权利要求1所述的聚焦环升降机构，其特征在于，所述外套筒与所述基座之间设置有密封套。4.根据权利要求1所述的聚焦环升降机构，其特征在于，所述升降杆的底端设置有旋钮。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶璘珂，沈吉，汤介峰，荆泉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：