光子探测器的封装方法和光子探测器技术

本发明专利技术公开了一种光子探测器的封装方法和光子探测器，光子探测器的封装方法，包括：提供基板和芯片，其中，在基板的一侧设置有第一导电层，以及在基板的另一侧设置有第二导电层；对第一导电层进行蚀刻处理，以在第一导电层上形成第一导电线路；将芯片安装于第一导电层上，以使得芯片与第一导电线路进行电气连接；在芯片的外表面上依次层压第一介质层和第三导电层；对第二导电层和第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在第二导电层上形成第二导电线路以及在第三导电层上形成第三导电线路；在第三导电层上安装光电转换晶体，以使得光电转换晶体与第三导电线路进行电气连接。采用该封装方法可以简化工艺流程，提高光子探测器的集成度。集成度。集成度。

【技术实现步骤摘要】
光子探测器的封装方法和光子探测器


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其是涉及一种光子探测器的封装方法和光子探测器。

技术介绍

[0002]光子计数探测器是一项新兴技术，应用于医疗CT器械，是CT机最重要的组件之一，它可以直接接受X光，并将X光转化为电流脉冲，再通过一系列图像处理技术转化成CT图像，以供医生用来分析病情。
[0003]相关技术中，对于光子技术探测器通常采用非埋入式的封装方式，但是该方式存在一定的局限性，工艺难度大。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种光子探测器的封装方法，采用该封装方法可以简化工艺流程，提高光子探测器的集成度。
[0005]本专利技术第二方面实施例提供一种光子探测器。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术第一方面实施例提供一种光子探测器的封装方法，包括：提供基板和芯片，其中，在基板的一侧设置有第一导电层，以及在基板的另一侧设置有第二导电层；对所述第一导电层进行蚀刻处理，以在所述第一导电层上形成第一导电线路；将所述芯片安装于所述第一导电层上，以使得所述芯片与所述第一导电线路进行电气连接；在所述芯片的外表面上依次层压第一介质层和第三导电层；对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线路；在所述第三导电层上安装光电转换晶体，以使得所述光电转换晶体与所述第三导电线路进行电气连接。
[0007]根据本专利技术实施例的光子探测器的封装方法，通过将芯片设于第一导电层，且在芯片的外表面依次层压第一介质层和第三导电层，从而将芯片嵌入基板内，由此相较于非埋入式的封装方式，本申请通过采用内埋式的封装方式，可以极大地简化光子探测器的加工流程，实现产品的高度集成化，降低封装过程产生的内阻，提升产品信噪比。
[0008]在一些实施例中，在所述光电转换晶体与所述第二导电线路进行电气连接后，还包括：对所述光电转换晶体进行塑封，以在所述光电转换晶体的外表面形成塑封层。
[0009]在一些实施例中，所述光电转换晶体为碲锌镉晶体，所述塑封层为X光透过性材料。
[0010]在一些实施例中，将所述芯片安装于所述第一导电层上，包括：将所述芯片以倒装焊接的方式安装于所述第一导电层上。
[0011]在一些实施例中，对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线
路，包括：对所述第二导电层进行打孔，以露出所述第一导电线路；对所述第三导电层进行打孔并蚀穿所述第一介质层，以露出所述芯片的焊盘；对整板进行电镀处理，并对电镀处理后的第二导电层进行蚀刻，以形成第二导电线路，以及对电镀处理后的第三导电层进行蚀刻，以形成第三导电线路。
[0012]在一些实施例中，在对所述第二导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路后，所述封装方法还包括：在所述第二导电层的外表面依次层压第二介质层和第四导电层；对所述第四导电层进行蚀刻和钻孔处理，以露出所述第二导电线路中的信号传输线路；对整板进行电镀处理，并对电镀处理后的第四导电层进行蚀刻，以形成第四导电线路。
[0013]本专利技术第二方面实施例提供一种光子探测器，包括：基板，所述基板的一侧设置有第一导电层，以及所述基板的另一侧设置有第二导电层，其中，所述第一导电层上形成第一导电线路，所述第二导电层上形成第二导电线路；芯片，所述芯片设于所述第一导电层，并与所述第一导电线路电气连接；第一介质层，所述第一介质层设于所述芯片的外表面；第三导电层，所述第三导电层设于所述第一介质层的外表面，且所述第三导电层上形成第三导电线路；光电转换晶体，所述光电转换晶体设于所述第三导电层，并与所述第三导电线路电气连接。
[0014]根据本专利技术实施例的光子探测器，通过将芯片设于第一导电层，且在芯片的外表面依次层压第一介质层和第三导电层，从而将芯片嵌入基板内，由此通过采用埋入式的封装结构，有利于简化光子探测器的加工流程，实现产品的高度集成化，降低封装过程产生的内阻，提升产品信噪比。
[0015]在一些实施例中，还包括：塑封层，所述塑封层覆盖于所述光电转换晶体的外表面。
[0016]在一些实施例中，所述光电转换晶体为碲锌镉晶体，所述塑封层为X光透过性材料。
[0017]在一些实施例中，还包括：第二介质层，所述第二介质层设于所述第二导电层的外表面；第四导电层，所述第四导电层设于所述第二介质层的外表面，且所述第四导电层上形成有第四导电线路，所述第四导电线路与所述第二导电线路电气连接。
[0018]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1是根据本专利技术一个实施例的光子探测器的封装方法的流程图；
[0021]图2是根据本专利技术一个实施例的基板的示意图；
[0022]图3是根据本专利技术一个实施例的在第一导电层上安装芯片的示意图；
[0023]图4是根据本专利技术一个实施例在芯片外表面层压第一介质层和第三导电层的示意图；
[0024]图5是根据本专利技术一个实施例的对第二导电层和第三导电层进行蚀刻的示意图；
[0025]图6是根据本专利技术一个实施例的对第二导电层和第三导电层进行电镀的示意图；
[0026]图7是根据本专利技术一个实施例的第二导电层和第三导电层经蚀刻和电镀后的示意图；
[0027]图8是根据本专利技术一个实施例的在第三导电层上安装光电转换晶体的示意图；
[0028]图9是根据本专利技术一个实施例的对光电转换晶体塑封后的示意图；
[0029]图10是根据本专利技术一个实施例在第二导电层上层压第二介质层和第四导电层的示意图；
[0030]图11是根据本专利技术一个实施例的光子探测器的结构示意图。
[0031]附图标记：
[0032]光子探测器10；
[0033]基板1；芯片2；第一介质层3；第三导电层4；光电转换晶体5；塑封层6；第二介质层7；第四导电层8；
[0034]第一导电层11；衬底12；第二导电层13；焊盘21；硅通孔22。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0036]为了解决上述问题，本专利技术第一方面实施例提出一种光子探测器的封装方法，采用该封装方法可以简化工艺流程，提高光子探测器的集成度。
[0037]下面参考图1
‑
图描述本专利技术实施例的光子探测器的封装方法，如图1所示，该封装方法至少包括步骤S1
‑
步骤S6。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光子探测器的封装方法，其特征在于，包括：提供基板和芯片，其中，在基板的一侧设置有第一导电层，以及在基板的另一侧设置有第二导电层；对所述第一导电层进行蚀刻处理，以在所述第一导电层上形成第一导电线路；将所述芯片安装于所述第一导电层上，以使得所述芯片与所述第一导电线路进行电气连接；在所述芯片的外表面上依次层压第一介质层和第三导电层；对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线路；在所述第三导电层上安装光电转换晶体，以使得所述光电转换晶体与所述第三导电线路进行电气连接。2.根据权利要求1所述的光子探测器的封装方法，其特征在于，在所述光电转换晶体与所述第二导电线路进行电气连接后，还包括：对所述光电转换晶体进行塑封，以在所述光电转换晶体的外表面形成塑封层。3.根据权利要求2所述的光子探测器，其特征在于，所述光电转换晶体为碲锌镉晶体，所述塑封层为X光透过性材料。4.根据权利要求1所述的光子探测器的封装方法，其特征在于，将所述芯片安装于所述第一导电层上，包括：将所述芯片以倒装焊接的方式安装于所述第一导电层上。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的光子探测器的封装方法，其特征在于，对所述第二导电层和所述第三导电层进行蚀刻处理和电镀处理，以在所述第二导电层上形成第二导电线路以及在所述第三导电层上形成第三导电线路，包括：对所述第二导电层进行打孔，以露出所述第一导电线路；对所述第三导电层进行打孔并蚀穿所述第一介质层，以露出所述芯片的焊盘；对整板进行电镀处理，并对电镀处理后的第二导电层进行蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖浩洋，宋关强，熊艳春，李俞虹，杨日贵，余功炽，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：