间隔件用薄膜及用其形成间隔件的方法技术

本发明专利技术涉及一种应用于多芯片封装的间隔件用薄膜及用其形成间隔件的方法，根据本发明专利技术的间隔件用薄膜包括第一膜和布置在第一膜下方的粘合层。根据本发明专利技术的间隔件用薄膜包括第一膜来代替伪晶片，并且储能模量和卷曲量的乘积为10GPa

【技术实现步骤摘要】
间隔件用薄膜及用其形成间隔件的方法


[0001]本专利技术涉及一种应用于多芯片封装的间隔件用薄膜及用其形成间隔件的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件制作技术的发展，已开展很多关于电子设备的小型化和多功能化的研究。作为半导体芯片封装技术中的一种，多芯片封装(Multui Chip Package：MCP)技术是一种将同类的或不同类的半导体芯片呈现为一个封装体的技术。多芯片封装技术使得能够以小面积实现高速传输功能，因此与将每个半导体芯片单独封装的情况相比具有减小尺寸和重量的优点。
[0003]为了在多芯片封装中获得减小尺寸的效果，可以将多个半导体芯片层叠并布置在一个封装体中。这时用到间隔件。例如，在层叠有两个半导体芯片的封装体中，一个半导体芯片可以直接贴附到封装衬底上，而另一个半导体芯片不直接贴附到封装衬底上。间隔件起到支撑这种不直接贴附到封装衬底上的半导体芯片的作用。
[0004]间隔件通常由金属、聚合物、光刻胶等形成。当间隔件由金属或光刻胶形成时，可以采用在封装衬底上沉积或涂覆金属或光刻胶后通过蚀刻去除间隔件以外的部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间隔件用薄膜，包括：第一膜；以及布置在所述第一膜下方的粘合层，其中所述间隔件用薄膜满足以下数学式1：[数学式1]10GPa
·
mm≤(储能模量
×
卷曲量)≤200GPa
·
mm，在所述数学式1中，储能模量为所述间隔件用薄膜在25℃下的储能模量，卷曲量为在将所述第一膜和所述粘合层层叠的部分截取成横向尺寸为50mm且纵向尺寸为15mm的矩形后在水平面上放置成使所述粘合层朝下的状态下测得的卷曲量。2.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，其中所述储能模量是2GPa至10GPa。3.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，其中所述卷曲量是5mm至20mm。4.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，其中所述第一膜包含聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺、聚苯硫醚、聚邻苯二甲酰胺、聚砜、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的至少一种。5.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，其中所述第一膜包括下方的涂层。6.根据权利要求5所述的间隔件用薄膜，其中所述涂层包含含有聚酰亚胺官能团的化合物、含有聚酰胺酰亚胺官能团的化合物、含有环氧官能团的化合物和含有氨基甲酸酯丙烯酸酯官能团的化合物中的至少一种。7.根据权利要求5所述的间隔件用薄膜，其中所述涂层具有2μm至9μm的厚度。8.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，其中所述粘合层包含丙烯酸类化合物和环氧树脂中的至少一种。9.根据权利要求1所述的间隔件用薄膜，还包括布置在所述粘合层下方的第一压敏粘合剂层。10.根据权利要求9所述的间隔件用薄膜，其中所述第一压敏粘合剂层包含丙烯酸类化合物。11.根据权利要求9所述的间隔件用薄膜，其中所述第一压敏粘合剂层的上表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣建，朴钟贤，金镇范，崔裁源，赵泳硕，
申请(专利权)人：韩商利诺士尖端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：