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本发明涉及一种应用于多芯片封装的间隔件用薄膜及用其形成间隔件的方法，根据本发明的间隔件用薄膜包括第一膜和布置在第一膜下方的粘合层。根据本发明的间隔件用薄膜包括第一膜来代替伪晶片，并且储能模量和卷曲量的乘积为10GPa
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该专利属于韩商利诺士尖端材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过韩商利诺士尖端材料有限公司授权不得商用。

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