【技术实现步骤摘要】
一种大概率电子模组IGBT模块
[0001]本技术涉及IGBT
,具体为一种大概率电子模组IGBT模块。
技术介绍
[0002]IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
[0003]IGBT模块使用时是将导电材料安装在IGBT模块的驱动端子处,待安装完成后,导电材料是裸露在外部的,若有物体不小心挤压到导电材料,在会影响IGBT模块与导电材料之间导电性的同时,也可能会对导电材料造成损害,其次大多数情况下,IGBT模块与导电材料的周围会分布较多的导线,若IGBT模块与导电材料连接处漏电,可能会影响其他导线的正常使用,进一步会降低IGBT模块与导电材料之间的安全性,为解决上述问题,一种大概率电子模组IGBT
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大概率电子模组IGBT模块,包括:IGBT模块(1),其特征在于:所述IGBT模块(1)的顶部从前至后依次固定连接有挡板一(2)和挡板二(3),所述挡板一(2)和挡板二(3)的两侧均固定连接有防护板一(4),所述防护板一(4)的底部与IGBT模块(1)固定连接,右侧所述防护板一(4)的一侧转动连接有转动柱(5),所述转动柱(5)的表面固定连接有电动伸缩杆(6),所述电动伸缩杆(6)的输出端固定连接有圆块(7),所述圆块(7)的一侧转动连接有连动板(8),所述连动板(8)的右侧转动连接有三个等间距分布的衔接板一(9),所述衔接板一(9)的一侧固定连接有转轴一(10),所述转轴一(10)的右端与防护板一(4)转动连接,所述衔接板一(9)的顶部固定连接有防护板二(11),所述防护板二(11)的数量为三个,左侧所述防护板一(4)的一侧开设有三个通孔一(12),右侧所述防护板一(...
【专利技术属性】
技术研发人员:江鹏,
申请(专利权)人:合肥森沃电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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