半导体装置封装模流控制系统和方法制造方法及图纸

一种半导体封装包含：衬底，其具有顶部平坦表面；以及半导体裸片，其安装在所述衬底的所述顶部平坦表面上。接合线将所述半导体裸片电连接至所述衬底。流量控制挡块与所述衬底的所述顶部平坦表面一体地形成，且每一流量控制挡块在接近于所述接合线的位置处从所述衬底的所述顶部平坦表面突出。所述流量控制挡块减少电连接到所述衬底和半导体裸片的所述接合线中的线偏移的发生。线中的线偏移的发生。线中的线偏移的发生。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装模流控制系统和方法

技术介绍

[0001]本公开大体上涉及半导体装置封装和其组装，且更确切地说，涉及具有模流控制挡块的封装装置和其组装方法。
[0002]半导体装置封装通常包含一或多个集成电路(IC)裸片(例如，NAND裸片、ASIC 裸片、控制器裸片等)和/或电耦合到衬底的其它半导体装置。这些裸片可例如通过在裸片与位于衬底上的接合垫之间输送电信号的接合线电连接到衬底。接合线通常在水平平面中对准，使得每一个别接合线不接触相邻接合线。裸片和接合线通常由模塑化合物(例如，环氧树脂)包封，所述模塑化合物通过产生防潮屏障以防止对组件的物理、化学和 /或电气损害来保护裸片和接合线。在组装期间，呈流体状态的模塑化合物沿着一或多个流动路径在裸片和接合线上方流动，使得通过模塑化合物包封裸片和接合线。接着可固化或硬化模塑化合物以在这些组件周围形成固体包封。然而，使模塑化合物流动通常引起“线偏移”的发生，在线偏移中，接合线在水平平面中从其原始对准移位，导致接合线中的一或多个物理接触一或多个相邻接合线，从而导致所述接合线中的短路。随着裸片数目增大(例如，随着更多裸片堆叠在一起)，线偏移发生的风险也增大。
[0003]因此，需要提供一种包含模流控制系统以防止或减少线偏移的发生的半导体封装。

技术实现思路

[0004]在一个实施例中，存在一种半导体封装，其包含：衬底，其具有顶部平坦表面；半导体裸片，其安装在顶部平坦表面上且通过一或多个接合线电连接到衬底；以及一或多个流量控制挡块，其与衬底的顶部平坦表面一体地形成，一或多个流量控制挡块中的每一个在接近于一或多个接合线的位置处从顶部平坦表面突出。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块由与衬底的顶部平坦表面一体地形成的焊料掩模形成。在一些实施例中，半导体封装进一步包含包封半导体裸片和一或多个接合线的模塑化合物，且一或多个流量控制挡块配置成减少一或多个接合线的线偏移的发生。
[0005]在一些实施例中，一或多个流量控制挡块包含定位在一或多个接合线的第一侧上的第一流量控制挡块和定位在一或多个接合线的与第一侧相对的第二侧上的第二流量控制挡块。在一些实施例中，第一流量控制挡块和第二流量控制挡块各自沿着大体垂直于半导体裸片的近侧边缘的相应纵向轴线延伸。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块定位成接近于半导体裸片的拐角。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块各自沿着相对于一或多个半导体裸片的近侧边缘成倾斜角的相应纵向轴线延伸。
[0006]在一些实施例中，半导体裸片包含近侧边缘、与近侧边缘相对的远侧边缘以及在近侧边缘与远侧边缘之间延伸的第一侧向边缘和第二侧向边缘。一或多个流量控制挡块包含：第一流量控制挡块和第二流量控制挡块，其各自定位成接近于半导体裸片的近侧边缘；第三流量控制挡块和第四流量控制挡块，其各自定位成接近于半导体裸片的远侧边缘；第五流量控制挡块，其定位成接近于半导体裸片的第一侧向边缘；以及第六流量控制挡块，其
定位成接近于半导体裸片的第二侧向边缘。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块中的每一个定位在第一多个接合线与第二多个接合线之间。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块具有大体立方体形状、矩形形状、球形形状、圆柱形形状、方锥形形状、圆锥形形状、非晶形形状或其组合。
[0007]在另一实施例中，存在一种半导体封装，其包含：衬底，其具有顶部平坦表面；至少一个半导体裸片，其安装在顶部平坦表面上；一或多个接合线，其电连接至少一个半导体裸片与衬底；模塑化合物，其包封至少一个半导体裸片和一或多个接合线；以及一或多个流量控制挡块，其与衬底的顶部平坦表面一体地形成，其中一或多个流量控制挡块配置成减少一或多个接合线的线偏移的发生。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块由与衬底的顶部平坦表面一体地形成的焊料掩模形成。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块包含定位在一或多个接合线的第一侧上的第一流量控制挡块和定位在一或多个接合线的与第一侧相对的第二侧上的第二流量控制挡块。
[0008]在一些实施例中，一或多个流量控制挡块定位成接近于至少一个半导体裸片的拐角。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块各自沿着相对于至少一个半导体裸片的近侧边缘成倾斜角的相应纵向轴线延伸。在一些实施例中，一或多个接合线包含第一多个接合线和第二多个接合线，且一或多个流量控制挡块定位在第一多个接合线与第二多个接合线之间。
[0009]在另一实施例中，存在一种形成半导体封装的方法，其包含：设置具有顶部平坦表面的衬底；将焊料掩模层层压在衬底的顶部平坦表面上，使得焊料掩模层和衬底一体地形成；通过移除焊料掩模层的一部分来从焊料掩模层形成一或多个流量控制挡块，一或多个流量控制挡块与衬底的顶部平坦表面一体地形成；将至少一个半导体裸片安装在衬底的顶部平坦表面上，至少一个半导体裸片定位成使得至少一个半导体裸片不直接接触一或多个流量控制挡块。
[0010]在一些实施例中，方法进一步包含：利用一或多个接合线电连接至少一个半导体裸片与衬底；提供模塑化合物以包封至少一个半导体裸片和一或多个接合线；以及使模塑化合物沿着由一或多个流量控制挡块界定的流动路径流动，使得模塑化合物接触一或多个流量控制挡块。模塑化合物的至少一部分通过一或多个流量控制挡块偏转远离一或多个接合线，且一或多个流量控制挡块配置成防止在模塑化合物的流动期间发生一或多个接合线的线偏移。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块定位成接近于至少一个半导体裸片的拐角。在一些实施例中，一或多个流量控制挡块各自沿着相对于至少一个半导体裸片的近侧边缘成倾斜角的相应纵向轴线延伸。
附图说明
[0011]当结合附图阅读时，将更好的理解前述概述以及以下详细描述。为了说明本公开，在附图中展示当前优选的实施例，其中相同附图标记始终指示相同元件。然而，应注意，本公开的各方面可以不同形式体现且因此不应理解为受限于本文中所阐述的所示实施例。在附图中说明的元件未必按比例绘制，而是可能已被夸大以突出其中主题的重要特征。此外，可以通过省略对于理解所公开的实施例未必需要的元件来简化附图。
[0012]在附图中：
[0013]图1为根据本公开的示例性实施例的半导体封装的一部分的俯视示意图；
[0014]图2为根据本公开的另一示例性实施例的半导体封装的一部分的俯视示意图；
[0015]图3A为根据本公开的另一示例性实施例的半导体封装的一部分的俯视透视示意图；
[0016]图3B为示出对图3A的半导体封装执行的模流和线偏移模拟的结果的图表；
[0017]图4A到4E为示出根据本公开的实施例的用于形成半导体封装的具有一体地形成的流量控制挡块的衬底的步骤的横截面侧视图；且
[0018]图5为根据本公开的示例性实施例的示出组装其中具有一体地形成的模流控制挡块的半导体封装的方法的示例性流程图。
具体实施方式
[0019]现将在下文中参考附图更全面地描述本专利技术的主题，附图中展示代表性实施例。然而，本专利技术的主题可以用不同形式体现，且不应被解释为受限于本文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其包括：衬底，其具有顶部平坦表面；半导体裸片，其安装在所述顶部平坦表面上且通过一或多个接合线电连接到所述衬底；以及一或多个流量控制挡块，其与所述衬底的所述顶部平坦表面一体地形成，所述一或多个流量控制挡块中的每一个在接近于所述一或多个接合线的位置处从所述顶部平坦表面突出。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块由与所述衬底的所述顶部平坦表面一体地形成的焊料掩模形成。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括：模塑化合物，其包封所述半导体裸片和所述一或多个接合线，且其中所述一或多个流量控制挡块配置成减少所述一或多个接合线的线偏移的发生。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块包含定位在所述一或多个接合线的第一侧上的第一流量控制挡块和定位在所述一或多个接合线的与所述第一侧相对的第二侧上的第二流量控制挡块。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述第一流量控制挡块和所述第二流量控制挡块各自沿着大体垂直于所述半导体裸片的近侧边缘的相应纵向轴线延伸。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块定位成接近于所述半导体裸片的拐角。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块各自沿着相对于所述一或多个半导体裸片的近侧边缘成倾斜角的相应轴线延伸。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体裸片包含近侧边缘、与所述近侧边缘相对的远侧边缘以及在所述近侧边缘与所述远侧边缘之间延伸的第一纵向边缘和第二纵向边缘，其中所述一或多个流量控制挡块包含：第一流量控制挡块和第二流量控制挡块，其各自定位成接近于所述半导体裸片的所述近侧边缘；第三流量控制挡块和第四流量控制挡块，其各自定位成接近于所述半导体裸片的所述远侧边缘；第五流量控制挡块，其定位成接近于所述半导体裸片的第一侧向边缘；以及第六流量控制挡块，其定位成接近于所述半导体裸片的第二侧向边缘。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块中的每一个定位在第一多个所述接合线与第二多个所述接合线之间。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述一或多个流量控制挡块具有大体立方体形状、矩形形状、球形形状、圆柱形形状、方锥形形状、圆锥形形状、非晶形形状或其组合。11.一种半导体封装，其包括：衬底，其具有顶部平坦表面和与所述顶部平坦表面一体地形成的一或多个流量控制挡块；至少一个半导体裸片，其安装在所述顶部平坦表面上；
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱进添，谭华，杨正雄，姜卫挺，J，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：