间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于多芯片封装的间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法，根据本发明专利技术的间隔件用膜包括：第一膜；以及布置在所述第一膜的下方的粘合层，通过将第一膜和粘合层堆叠的部分切割成宽50mm、长15mm的矩形并以所述粘合层位于下侧的方式放置在水平面上来测量的卷曲量为5mm至20mm。量的卷曲量为5mm至20mm。量的卷曲量为5mm至20mm。

【技术实现步骤摘要】
间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法


[0001]本专利技术涉及一种适用于多芯片封装的间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件制造技术的发展，人们对电子器件的小型化和多功能化进行了大量研究。多芯片封装(MCP)技术作为半导体芯片封装技术中的一种，是一种将同种或不同种半导体芯片集成到一个封装体中的技术。多芯片封装技术使得能够在小面积内实现高速传输功能，并且与每个半导体芯片配置为单独封装的情况相比具有能够减小尺寸和重量的优点。
[0003]为了在多芯片封装中获得尺寸减小的效果，可以将多个半导体芯片堆叠并布置在一个封装中。此时使用的是间隔件。例如，在堆叠两个半导体芯片的封装中，一个半导体芯片可以直接贴附到封装基板，而另一个半导体芯片未直接贴附到封装基板。间隔件用于支撑这种未直接贴附到封装基板的半导体芯片。
[0004]间隔件通常由金属、聚合物、光敏抗蚀剂等形成。当间隔件由金属或光敏抗蚀剂形成时，可以使用在封装基板上沉积或涂覆金属或光敏抗蚀剂之后通过蚀刻除间隔件以外的部分的方法。当间隔件由金属或聚合物形成时，可以使用将间隔件制造成预定形状并将其粘附到封装基板的方法。
[0005]在沉积或涂覆金属或光敏抗蚀剂之后通过蚀刻的方法形成间隔件的方法存在的问题在于：不仅需要光刻等复杂工艺，而且浪费材料。在使用制造具有预定尺寸的间隔件并将其粘附到封装基板的方法的情况下，存在的问题在于难以准确地制造具有目标尺寸的间隔件并且难以准确地将间隔件贴附到封装基板。
[0006]此外，还有一种方法是使用虚设晶圆(dummy wafer)制作间隔件并将其粘附到封装基板上，但在这种方法中，存在虚设晶圆浪费的问题。
[0007]另一方面，考虑使用含有聚酰亚胺等成分的高分子膜作为间隔件来代替虚设晶圆，从而产生芯片识别不良、拾取性降低等问题。

技术实现思路

[0008]【要解决的问题】
[0009]本专利技术的目的在于提供一种间隔件用膜，其能够在不使用虚设晶圆的情况下进行切割工艺，抑制芯片识别不良并且提高拾取性。
[0010]本专利技术的另一目的在于提供一种形成间隔件的方法，其能够在不使用虚设晶圆的情况下高效地执行切割工艺。
[0011]本专利技术的另一目的在于提供一种不使用虚设晶圆的多芯片封装。
[0012]本专利技术所要解决的技术问题并不局限于上述问题，其他未提及的问题本领域技术人员将会从以下描述中清楚地理解。
[0013]【解决问题的方案】
[0014]根据示例性实施例的间隔件用膜包括：第一膜；以及布置在所述第一膜的下方的粘合层，通过将第一膜和粘合层堆叠的部分切割成宽50mm、长15mm的矩形并以所述粘合层位于下侧的方式放置在水平面上来测量的卷曲量为5mm至20mm。
[0015]在一些实施例中，所述第一膜在200℃下的重量减少率可以为2％以下，并且在100℃以下的线膨胀系数可以为50ppm/℃以下。
[0016]在一些实施例中，所述第一膜可以包括聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺、聚苯硫醚、聚邻苯二甲酰胺、聚砜、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的至少一种。
[0017]在一些实施例中，所述第一膜是的下方可以形成有涂层。
[0018]在一些实施例中，所述涂层可以包括：含有聚酰亚胺官能团的化合物、含有聚酰胺酰亚胺官能团的化合物、含有环氧官能团的化合物以及含有聚氨酯丙烯酸酯官能团的化合物中的至少一种。
[0019]在一些实施例中，所述粘合层可以包括丙烯酸类化合物和环氧树脂中的至少一种。
[0020]在一些实施例中，所述间隔件用膜还可以包括布置在所述粘合层的下方的第一压敏粘合剂层。
[0021]在一些实施例中，所述第一压敏粘合剂层可以包含丙烯酸类化合物。
[0022]在一些实施例中，所述第一压敏粘合剂层的上表面的边缘可以露出。
[0023]在一些实施例中，所述第一压敏粘合剂层与所述粘合层之间的贴附力在所述第一压敏粘合剂层的UV固化之前可以为20至200N/m，并且在所述第一压敏粘合剂层的UV固化之后可以为15N/m以下。
[0024]在一些实施例中，所述间隔件用膜还可以包括布置在所述第一压敏粘合剂层的下方的第二膜。
[0025]在一些实施例中，所述第二膜可以包含聚烯烃类树脂。
[0026]在一些实施例中，还可以包括：布置在所述第一膜的上方的第二压敏粘合剂层；以及布置在所述第二压敏粘合剂层的上方的覆盖膜。
[0027]根据示例性实施例的形成间隔件的方法包括：将所述间隔件用膜固定到框架的固定步骤；将所述间隔件用膜切割成单片的切割步骤；以及从单片化的产物中拾取由第一膜和粘合层组成的间隔件的拾取步骤；以及将拾取的间隔件贴附到封装基板上的贴附步骤。
[0028]在一些实施例中，所述间隔件用膜还包括布置在所述粘合层的下方的第一压敏粘合剂层，所述第一压敏粘合剂层的上表面的边缘露出，在所述第一压敏粘合剂层的上表面的边缘布置有框架。
[0029]根据示例实施例的多芯片封装包括：封装基板；布置在所述封装基板上的包括隔件用薄膜的间隔件；布置在所述封装基板上的第一半导体芯片单元；堆叠在所述间隔件和第一半导体芯片单元上的第二半导体芯片单元；第一半导体芯片单元的芯片焊盘及与该芯片焊盘对应的第一基板焊盘电连接的导线；第二半导体芯片单元的芯片焊盘及与该芯片焊盘对应的第二基板焊盘电连接的导线；以及将第一半导体芯片单元、第二半导体芯片单元、导线和间隔件封装的封装体。
[0030]布置在所述封装基板上的包括根据权利要求1所述的间隔件用薄膜的间隔件。
[0031]【专利技术效果】
[0032]根据本专利技术的间隔件用膜包括第一膜(而不是虚设晶圆)并且具有5mm至20mm的卷曲量。因此，可以抑制在切割工艺中出现的芯片识别不良并提高拾取性。
[0033]因此，可以通过切割工艺从根据本专利技术的间隔件用膜容易地制造被分割成期望尺寸的间隔件。
[0034]此外，根据本专利技术的形成间隔件的方法可以通过拾取工艺和贴附工艺容易地将分段间隔件贴附到封装基板。
[0035]此外，本专利技术可通过使用间隔件用膜提供不使用虚设晶圆的多芯片封装。
附图说明
[0036]图1是示意性示出根据本专利技术实施例的包括间隔件的多芯片封装的示例的截面图。
[0037]图2是示意性示出根据本专利技术另一实施例的包括间隔件的多芯片封装的截面图。
[0038]图3是示意性示出根据本专利技术另一实施例的包括间隔件的多芯片封装的截面图。
[0039]图4是示意性示出根据本专利技术另一实施例的包括间隔件的多芯片封装的截面图。
[0040]图5是示意性示出本专利技术的一个实施例的间隔件用膜的截面图。
[0041]图6是示意性示出根据本专利技术另一实施例的间隔件用膜的截面图。
[0042]图7示意性示出根据本专利技术的使用切割工艺的形成间隔件的方法。
[0043]图8是与图7的(a)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间隔件用膜，其包括：第一膜；以及布置在所述第一膜的下方的粘合层，通过将所述第一膜和粘合层堆叠的部分切割成宽50mm、长15mm的矩形并以所述粘合层位于下侧的方式放置在水平面上来测量的卷曲量为5mm至20mm。2.根据权利要求1所述的间隔件用膜，其中，所述第一膜在200℃下的重量减少率为2％以下，并且在100℃以下的线膨胀系数为50ppm/℃以下。3.根据权利要求1所述的间隔件用膜，其中，所述第一膜包括聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺、聚苯硫醚、聚邻苯二甲酰胺、聚砜、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的至少一种。4.根据权利要求1所述的间隔件用膜，其中，所述第一膜是的下方形成有涂层。5.根据权利要求4所述的间隔件用膜，其中，所述涂层包括：含有聚酰亚胺官能团的化合物、含有聚酰胺酰亚胺官能团的化合物、含有环氧官能团的化合物以及含有聚氨酯丙烯酸酯官能团的化合物中的至少一种。6.根据权利要求1所述的间隔件用膜，其中，所述粘合层包括丙烯酸类化合物和环氧树脂中的至少一种。7.根据权利要求1所述的间隔件用膜，其中，还包括：布置在所述粘合层的下方的第一压敏粘合剂层。8.根据权利要求7所述的间隔件用膜，其中，所述第一压敏粘合剂层包含丙烯酸类化合物。9.根据权利要求7所述的间隔件用膜，其中，所述第一压敏粘合剂层的上表面的边缘露出。10.根据权利要求7所述的间隔件用膜，其中，所述第一压敏粘合剂层与所述粘合层之间的贴附力在所述第一压敏粘合剂层的UV固化之前为20至200N/m，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣建，朴钟贤，金镇范，崔裁源，尹勤泳，
申请(专利权)人：韩商利诺士尖端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：