【技术实现步骤摘要】
一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构
[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构。
技术介绍
[0002]芯片工艺制程发展速度放缓，其主要矛盾在于单芯片工艺制程无法在可接受的良率、功耗和发热条件下，将计算芯片及其配套存储、接口等单元在单芯片上实现一体化集成，进而满足系统应用指数级增长的算力需求。先进封装工艺通过中介层、互连通孔、桥连芯片等结构，将不同制程、不同功能的裸芯片在封装层面实现异构集成，通过损失部分器件集成密度和芯片封装面积，可以实现多个芯片的功能容量叠加和性能提升。
[0003]目前制约芯片算力提升的最大瓶颈是计算芯片与存储芯片的低延迟互连。数字信号处理芯片的计算能力衡量，一方面是自身的计算速度，另一方面是其与外设存储芯片间的数据传输速度，互连路径越短，芯片间能够实现的信号传输速率越高，在单位时间内能够完成的数据读取
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计算
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存储循环次数越多，芯片能够发挥出的算力越强，由此带来的算力提升效益越大。同时，一个计算系统集成的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构，其特征在于，包括有机基板晶圆、计算芯片、第一辅助芯片、第二辅助芯片和存储芯片；所述第一辅助芯片使用倒装焊工艺，安装在所述有机基板晶圆的表面；所述计算芯片的焊盘朝下，安装于所述有机基板晶圆的表面；所述存储芯片嵌入在所述有机基板晶圆中，且焊盘朝上；所述计算芯片和所述存储芯片之间通过铜柱阵列连接；所述第二辅助芯片的焊盘朝上，嵌入在所述有机基板晶圆中。2.如权利要求1所述的嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构，其特征在于，所述有机基板晶圆包括芯材层、互连铜柱、正面布线层、背面布线层和引出球栅阵列；所述芯材层位于所述正面布线层和所述背面布线层之间，并且所述正面布线层和所述背面布线层通过贯穿所述芯材层的互连铜柱连接；所述引出球栅阵列位于所述背面布线层的表面。3.如权利要求2所述的嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构，其特征在于，所述存储芯片内埋在所述正面布线层中，以多个存储芯片对应一个计算芯片的方式，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，明雪飞，袁渊，汤文学，王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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