具有设置有保护层的布线的半导体装置制造方法及图纸

提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，第二导电层在第一导电层上，其中，上表面保护层覆盖第二导电层的上表面，并且侧表面保护层覆盖第一导电层的侧表面和第二导电层的侧表面，并且其中，上表面保护层和侧表面保护层中的每个包括具有比第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。属材料。属材料。

【技术实现步骤摘要】
具有设置有保护层的布线的半导体装置
[0001]本申请要求于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0114025号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及具有设置有保护层的布线的半导体装置。

技术介绍

[0003]随着电子设备持续发展并且用户的期望持续增长，电子设备变得更小并且性能更强大。随着对半导体装置的高性能、高速和/或多功能性的需求增加，半导体装置的集成度增加。根据半导体装置的趋向增加集成度的趋势，晶体管的尺寸正在减小。如上所述，电连接到具有减小尺寸的晶体管的布线的尺寸也在减小。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术构思的示例性实施例，半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，形成在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在所述下结构上；过孔，穿透所述绝缘层；布线图案，形成在所述绝缘层和所述过孔上；以及氧化硅层，覆盖所述布线图案，并且包括氢，其中，所述布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，所述第二导电层设置在所述第一导电层上，其中，所述上表面保护层覆盖所述第二导电层的上表面，并且所述侧表面保护层覆盖所述第一导电层的侧表面和所述第二导电层的侧表面，并且其中，所述上表面保护层和所述侧表面保护层中的每个包括具有比所述第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上表面保护层和所述侧表面保护层包括彼此不同的材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述布线图案还包括：上界面合金层，设置在所述第二导电层的所述上表面与所述上表面保护层之间；以及侧界面合金层，设置在所述第二导电层的所述侧表面与所述侧表面保护层之间。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述上界面合金层和所述侧界面合金层包括彼此不同的材料。5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述上界面合金层和所述侧界面合金层中的每个包括具有比所述第二导电层的所述金属材料的活化能高的活化能的金属材料。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述侧表面保护层覆盖所述上表面保护层的侧表面的至少一部分。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述布线图案还包括设置在所述上表面保护层的上表面上的抗反射层，并且其中，所述侧表面保护层覆盖所述抗反射层的侧表面的至少一部分。8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述抗反射层包括具有比所述第二导电层的光吸收率高的光吸收率的材料。9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二导电层包括Al，并且其中，所述上表面保护层和所述侧表面保护层中的每个包括Co、Cu、Mn、Ru、Ta、Ti和W中的至少一种。10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上表面保护层的厚度和所述侧表面保护层的厚度中的每个在至的范围内。11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下布线结构包括下接触插塞和设置在所述下接触插塞上的下布线，并且其中，所述下布线包括镶嵌铜布线。12.如权利要求1所述的半导体装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金庆希，金陈燮，金汶濬，金埈宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：