一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统，属于功率器件领域，母排装置用于为多芯片功率器件提供电流，母排装置包括：集电极母排和发射极母排；多芯片功率器件位于集电极母排与发射极母排之间；集电极母排的一端为电流输入部，另一端为第一定位部；发射极母排的一端为电流输出部，另一端为第二定位部；电流输入部及电流输出部均与母线连接；多芯片功率器件位于第一定位部与第二定位部之间，并与第一定位部及第二定位部固定连接；第一定位部靠近电流输入部的位置开设有挖槽；第二定位部靠近电流输出部的位置开设有挖槽，有效改善多芯片功率器件内部并联芯片的均流问题，进而提高了多芯片功率器件的安全性及使用寿命。寿命。寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统


[0001]本专利技术涉及功率器件领域，特别是涉及一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统。

技术介绍

[0002]随着现代电力工业的迅速发展，电力电子功率器件也向着高电压和大功率的方向发展，其中在高压领域应用最广泛的就是IGBT(绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor)器件，而目前IGBT器件内部常为多芯片规模化并联成组的形式。
[0003]IGBT器件在通流过程中，在器件内部各芯片参数的分散性差异、电流回路的阻抗差异和内部各物理场相互作用等因素的影响下，造成了流过各个芯片的电流分布不均衡的状况，当这种不均衡达到一定程度后，就会使得部分电流过大的芯片发生击穿，最终导致整个器件损毁。可见器件内部各芯片电流是关系到IGBT器件可靠性的重要物理量，改善器件内部各芯片电流不均衡度对提高IGBT器件可靠性具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统，可提高多芯片功率器件内部电流的均衡度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种母排装置，用于为多芯片功率器件提供电流，其特征在于，所述母排装置包括：集电极母排和发射极母排；所述多芯片功率器件位于所述集电极母排与所述发射极母排之间；所述集电极母排的一端为电流输入部，另一端为第一定位部；所述发射极母排的一端为电流输出部，另一端为第二定位部；所述电流输入部及所述电流输出部均与母线连接；所述多芯片功率器件位于所述第一定位部与所述第二定位部之间，并与所述第一定位部及所述第二定位部固定连接；所述第一定位部靠近所述电流输入部的位置开设有挖槽；所述第二定位部靠近所述电流输出部的位置开设有挖槽。2.根据权利要求1所述的母排装置，其特征在于，所述第一定位部及所述第二定位部的形状均为圆形，且所述第一定位部与所述第二定位部的大小相等。3.根据权利要求2所述的母排装置，其特征在于，所述第一定位部及所述第二定位部上开设的挖槽的形状均为弧形。4.根据权利要求3所述的母排装置，其特征在于，所述第一定位部上开设的挖槽与所述第一定位部的圆心形成的角度为240
°
；所述第二定位部上开设的挖槽与所述第二定位部的圆心形成的角度为240
°
。5.根据权利要求2所述的母排装置，其特征在于，所述第一定位部的圆心处开设有第一定位孔；所述第二定...

【专利技术属性】
技术研发人员：万佳，傅实，李学宝，赵志斌，崔翔，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：