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提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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