半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中并邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面，以及远离该下导电区。该第一漏极区的一上表面以及该基底的一上表面大致为共面。该下导电区与该第一延伸导电区包括相同的电类型。该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。第一延伸导电区包括不同电类型。第一延伸导电区包括不同电类型。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2021年9月2日申请的美国正式申请案第17/465,309号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有漏电流导引路径的半导体元件以及具有该漏电流导引路径的该半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；一下导电区，设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中且邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面，以及远离该下导电区；其中该第一漏极区的一上表面与该基底的一上表面为共面；其中该下导电区与该第一延伸导电区包括相同电类型；其中该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第一源极区，邻近该第一栅极结构的另一侧壁处；其中该第一源极区的一上表面与该基底的该上表面大致为共面。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一基线导电区，设置在该基底中；其中该基线导电区的一上表面与该基底的该上表面大致为共面；其中该基线导电区与该下导电区包括相同电类型。4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一边缘导电区，设置在该基底中、在该下导电区上、在该基线导电区下方，以及远离该基线导电区；其中该下导电区与该边缘导电区包括相同电类型。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个栅极间隙子，设置在该第一栅极结构的所述侧壁上以及在该基底上；其中该多个栅极间隙子包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括多个第一轻度掺杂区，设置在该基底中、分别且对应邻接该第一漏极区与该第一源极区，以及分别且对应在该多个栅极间隙子下方。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一栅极结构包括一第一栅极介电层以及一第一栅极导电层，该第一栅极介电层设置在该基底上，该第一栅极导电层设置在该第一栅极介电层上。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一延伸导电区的一下表面在一垂直位面，其低于该边缘导电区的一上表面的一垂直位面。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该基线导电区的一下表面与该第一漏极区的该下表面大致为共面。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该基线导电区的一下表面在一垂直位面，其低于该第一漏极区的该下表面的一垂直位面。11.如权利要求8所述的半导体元件，其中在一顶视图中，该第一延伸导电区的一长度大于或等于该第一漏极区的一长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维中，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：