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本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中并邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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