一种栅电介质材料立方相ＨｆＯ＊薄膜及其制备方法技术

一种栅电介质材料立方相ＨｆＯ↓［２］薄膜及其制备方法，通过掺杂Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］获得稳定的立方相的ＨｆＯ↓［２］薄膜，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的掺杂量的摩尔百分比为０到２８之间，所述ＨｆＯ↓［２］在常温下为立方相，介电常数２７．２。栅电介质材料立方相ＨｆＯ↓［２］薄膜利用脉冲激光沉积技术，使用由Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］稳定的立方相ＨｆＯ↓［２］陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备。本发明专利技术利用脉冲激光沉积的方法，采用金属氧化物Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］和ＨｆＯ↓［２］为原材料，以两种材料的二元相图为依据，通过高温固相反应在常温下获得了常温下稳定的立方相ＨｆＯ↓［２］，显著提高了其在常温下的介电常数，并制备得到ＥＯＴ值小于１．５ｎｍＹＳＨ薄膜，这对于ＨｆＯ↓［２］这种最具潜力的栅介质材料在将来的应用中提供了新的活力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属微电子材料领域，具体是涉及应用于金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET中的高介电常数栅电介质材料氧化铪Hf02薄膜，为一种栅电介质材料立方相 HfQ2薄膜及其制备方法。
技术介绍
1947年，Bardeen、 Brattain和Shockley专利技术了固体元件替代电子真空管，这标志 着微电子工业的出现。自从固体元件诞生以来，微电子工业经历了四十年空前的爆炸性 生长，它的成长受两个因素驱动^Noyce和Kilby专利技术的平面集成电路和起因于等比縮 小(尺寸收縮)固体元件的优异性能。等比縮小固体元件具有罕见的降低费用、改善性 能和功率的特点，这给了任何拥有最新技术的公司很大的市场竞争优势。微电子工业在 过去四十年期间使晶体管特征尺寸从IO pm等比縮小至约30nm。然而在某些特定阶段 会发生重大变化，例如微电子工业从硅双极变到p型金属氧化物半导体，然后变到n型 金属氧化物半导体，最后在1980年代变到互补型金属氧化物半导体(CMOS)，这是在 过去二十年一直保持主导地位。向前继续发展的巨大挑战是因为硅基集成电路基本组成 单元MOSFET的特征尺寸向数十纳米接近，平面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅电介质材料立方相ＨｆＯ↓［２］薄膜，其特征是掺杂Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］获得稳定的立方相的ＨｆＯ↓［２］薄膜，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的掺杂量的摩尔百分比为０到２８之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，周越，刘治国，殷江，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]