本发明专利技术公开了一种闪存测试装置、方法、设备及介质，属于闪存测试领域，装置包括：有限状态机，用于采用FSMC、SPI双通道切换技术供用户自主选择测试算法进行测试；计数器三，用于在用户选择测试算法后，向有限状态机下达测试算法执行信号；计数器一，用于在接到测试完成信号后，对测试算法进行跟踪；计数器二，用于在接到测试完成信号后，对内存地址进行跟踪；比较器，用于将预设数据与从待测内存单元读取的测试数据进行比较，输出比较结果。本发明专利技术，能够打破烧录器产商对设备信息添加的强制性要求，让使用端可自定义所需测试的设备，自主选择烧录或测试方式进行产品的烧录或测试；同时加入多种测试项，让使用者有全面评估闪存性能的工具。具。具。
【技术实现步骤摘要】
一种闪存测试装置、方法、设备及介质
[0001]本专利技术涉及一种闪存测试领域，具体是一种闪存测试装置、方法、设备及介质。
技术介绍
[0002]因为具有大容量、数据不丢失等特性，闪存已成为智能手机和电脑中固态硬盘首选的存储元件。在闪存的设计验证阶段，需要对闪存做擦写读测试，同时结合电参数或设置参数的改变，还需要循环多次实验，整个功能验证甚至要花费数天时间。
[0003]现有常见的闪存测试装置为烧录器，以烧录器进行烧录或测试，但市面上的烧录器存在缺陷：烧录或测试方式单一封闭。因此，本领域技术人员提供了一种闪存测试装置、方法、设备及介质，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种闪存测试装置、方法、设备及介质，能够打破烧录器产商对设备信息添加的强制性要求，让使用端可自定义所需测试的设备，自主选择烧录或测试方式进行产品的烧录或测试；同时加入多种测试项，让使用者有全面评估闪存性能的工具，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种闪存测试装置，包括：
[0007]有限状态机，用于采用FSMC、SPI双通道切换技术供用户自主选择测试算法进行测试；
[0008]计数器三，用于在用户选择测试算法后，向有限状态机下达测试算法执行信号；
[0009]计数器一，用于在接到测试完成信号后，对测试算法进行跟踪；
[0010]计数器二，用于在接到测试完成信号后，对内存地址进行跟踪；
[0011]比较器，用于将预设数据与从待测内存单元读取的测试数据进行比较，输出比较结果。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述有限状态机的具体测试过程如下：
[0013]用户选择FSMC测试算法或SPI测试算法；
[0014]设置FSMC参数或SPI参数；
[0015]对待测内存单元进行信息设置；
[0016]选择测试项；
[0017]输出测试结果；
[0018]选择是否结束测试；
[0019]若选择结束测试则测试结束，若选择不结束测试则重新选择测试项。
[0020]作为本专利技术再进一步的方案：所述测试项包括老化测试、寿命测试、闪存电压测试中的一种或多种。
[0021]作为本专利技术再进一步的方案：所述闪存电压测试通过闪存电压检测电路来进行测
试，其中，所述闪存电压检测电路包括计数器，且计数器一端连接比较器输出端，所述比较器一个输入端输入预设的第二参考电压，且比较器的另一个输入端连接存储单元、第二电容、PMOS管，所述PMOS管一端连接电源，所述存储单元与比较器之间连接有运放、比特线解码器、第一电容，且第一电容一端连接字节线解码器。
[0022]作为本专利技术再进一步的方案：所述闪存电压检测电路的具体测试过程如下：
[0023]通过闪存芯片的字节线解码器与比特线解码器选择一个存储单元进行测试，由斜坡发生器所产生读取电压施加于所述存储单元的第一电容；
[0024]运放将比特线解码器产生的电压与预设的第一参考电压进行比较后放大至一定比例；
[0025]控制信号通过PMOS管控制电源对第二电容进行充电，比较器检测第二电容电压并与第二参考电压进行比较后输出计数信号到计数器；
[0026]计数器记录从斜坡读取电压从零开始到达设定阈值电压的时间，所述计数器由比较器输出的计数信号控制，当计数信号翻转时，计数器停止；
[0027]当控制信号来临时，第二电容将被预充电至电源电压，而所选择的存储单元的源极和漏极则被设置为接地和第一参考电压，随着时间的推移，斜坡读取电压将被应用于第一电容；当斜坡读取电压达到所选择的单元的设定阈值电压时，计数信号变为“0”，计数器停止；直到下一个控制信号到达，此时的计数值将被发出，然后计数器被重置；
[0028]斜坡读取电压从V
START
的初始电压开始上升，并在V
END
的终止电压处停止；系统工作频率为50MHz，计数器为n位，计数值T可以写为：
[0029]其中V
TH
为设定阈值。
[0030]作为本专利技术再进一步的方案：一种闪存测试方法，基于上述的装置实现，包括以下步骤：
[0031]重置有限状态机的信号；
[0032]采用FSMC、SPI双通道切换技术供用户自主选择测试算法进行测试；
[0033]在用户选择测试算法后，向有限状态机下达测试算法执行信号；
[0034]在接到测试完成信号后，对测试算法进行跟踪；
[0035]在接到测试完成信号后，对内存地址进行跟踪；
[0036]将预设数据与从待测内存单元读取的测试数据进行比较，输出比较结果。
[0037]作为本专利技术再进一步的方案：所述选择测试算法进行测试的具体过程如下：
[0038]用户选择FSMC测试算法或SPI测试算法；
[0039]设置FSMC参数或SPI参数；
[0040]对待测内存单元进行信息设置；
[0041]选择测试项；
[0042]输出测试结果；
[0043]选择是否结束测试；
[0044]若选择结束测试则测试结束，若选择不结束测试则重新选择测试项。
[0045]作为本专利技术再进一步的方案：所述测试项包括老化测试、寿命测试、闪存电压测试中的一种或多种。
[0046]作为本专利技术再进一步的方案：一种闪存测试设备，所述设备包括处理器以及存储器：所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；
[0047]所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行上述的闪存测试方法。
[0048]作为本专利技术再进一步的方案：一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行上述的闪存测试方法。
[0049]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0050]本申请能够打破烧录器产商对设备信息添加的强制性要求，让使用端可自定义所需测试的设备，自主选择烧录或测试方式进行产品的烧录或测试；同时加入多种测试项，让使用者有全面评估闪存性能的工具。
[0051]本申请新增了多样化的测试数据选择，同时支持使用者进行数据编辑，极大地提供了测试所需要的自由度，更广泛的适用于不同型号的flash产品。
[0052]本申请提供多个测试项目的测试，并支持用户自定义的连续测试，更精准的解决测试所需要求。
[0053]本申请提供闪存电压测试项目，便于了解产品闪存电压性能。
[0054]本申请支持最大16个设备同时测试，具备量化生产的能力。
附图说明
[0055]图1为一种闪存测试装置的结构示意图；
[0056]图2为一种闪存测试装置的闪存电压检测电路图；
[0057]图3为一种闪存测试装置的结构示意图；
[0058]图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存测试装置，其特征在于，包括：有限状态机，用于采用FSMC、SPI双通道切换技术供用户自主选择测试算法进行测试；计数器三，用于在用户选择测试算法后，向有限状态机下达测试算法执行信号；计数器一，用于在接到测试完成信号后，对测试算法进行跟踪；计数器二，用于在接到测试完成信号后，对内存地址进行跟踪；比较器，用于将预设数据与从待测内存单元读取的测试数据进行比较，输出比较结果。2.根据权利要求1所述的一种闪存测试装置，其特征在于，所述有限状态机的具体测试过程如下：用户选择FSMC测试算法或SPI测试算法；设置FSMC参数或SPI参数；对待测内存单元进行信息设置；选择测试项；输出测试结果；选择是否结束测试；若选择结束测试则测试结束，若选择不结束测试则重新选择测试项。3.根据权利要求2所述的一种闪存测试装置，其特征在于，所述测试项包括老化测试、寿命测试、闪存电压测试中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种闪存测试装置，其特征在于，所述闪存电压测试通过闪存电压检测电路来进行测试，其中，所述闪存电压检测电路包括计数器，且计数器一端连接比较器输出端，所述比较器一个输入端输入预设的第二参考电压，且比较器的另一个输入端连接存储单元、第二电容、PMOS管，所述PMOS管一端连接电源，所述存储单元与比较器之间连接有运放、比特线解码器、第一电容，且第一电容一端连接字节线解码器。5.根据权利要求4所述的一种闪存测试装置，其特征在于，所述闪存电压检测电路的具体测试过程如下：通过闪存芯片的字节线解码器与比特线解码器选择一个存储单元进行测试，由斜坡发生器所产生读取电压施加于所述存储单元的第一电容；运放将比特线解码器产生的电压与预设的第一参考电压进行比较后放大至一定比例；控制信号通过PMOS管控制电源对第二电容进行充电，比较器检测第二电容电压并与第二参考电压进行比较后输出计数信号到计数器；计数器记录从斜坡读取电压从零开始到达设定阈值电压的时间，所述计数器由比较器输出的计数信号控制，当计数信号翻转时，计数器停止；当控制信号来临时，第二电容将被预充电至电...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭飞，陈宗廷，叶家俊，
申请(专利权)人：深圳市九章半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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