仿真方法及仿真系统技术方案

本公开提供一种仿真方法及仿真系统，涉及电路仿真技术领域，该仿真方法包括：构建目标结构的版图模型，所述目标结构包括连接区，所述连接区包括连接体和与所述连接体连接的上下膜层；根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，所述参考电阻值包括所述连接体的等效电阻值及所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻；根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，所述补偿电阻值包含所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻值；将所述补偿电阻值带入前仿模型中进行前仿真。本公开的仿真方法可节省仿真时间，提高电阻设计的准确度。提高电阻设计的准确度。提高电阻设计的准确度。

【技术实现步骤摘要】
仿真方法及仿真系统


[0001]本公开涉及电路仿真
，具体而言，涉及一种仿真方法及仿真系统。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。电阻作为动态随机存储器的重要部件，其准确度对存储器的性能影响较大，因此，在电阻设计过程中对其进行仿真显得尤为重要。
[0003]电阻设计的仿真过程主要包括前仿真(Pre
‑
Layout Simulation)和后仿真(Post
‑
Layout Simulation)两个部分。然而，由于在前仿真过程中的等效电阻不明确，使得前仿真与后仿真过程中提取的等效电阻存在差异，进而增加电路调整过程，致使仿真结果适用性较差。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种仿真方法及仿真系统，可提高电阻设计的准确度，节省仿真时间。
[0006]根据本公开的一个方面，提供一种仿真方法，包括：
[0007]构建目标结构的版图模型，所述目标结构包括连接区，所述连接区包括连接体和与所述连接体连接的上下膜层；根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，所述参考电阻值包括所述连接体的等效电阻值及所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻；根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，所述补偿电阻值包含所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻值；将所述补偿电阻值带入前仿模型中进行前仿真。
[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接区中包含多个所述连接体，所述参考电阻值还包括相邻两个所述连接体之间的寄生电阻，所述补偿电阻值还包含相邻所述连接体之间的寄生电阻值。
[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接区的数量为多个，且多个所述连接区中至少两个所述连接区的连接体类型不同；所述根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，包括：获取所述连接区中所述连接体的类型，所述连接体的类型包括所述连接体的数量；获取所述连接区的所述参考电阻值，以得到不同类型的所述连接体对应的所述参考电阻值。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接体的类型还包括所述连接体的材料类型。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述仿真方法还包括：根据多个不同数量的所
述连接体对应的所述补偿电阻值推算另一数量的所述连接体对应的所述补偿电阻值。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，包括：根据每个所述连接区对应的所述参考电阻值与每个所述连接区的所有连接体的等效电阻值的差值计算各所述连接区对应的补偿电阻值。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述仿真方法还包括：根据所述连接体类型及各所述补偿电阻值形成调用信息，所述调用信息包括所述连接体类型及与所述连接体类型一一对应的补偿电阻值；存储所述调用信息，以在所述前仿真中根据所述连接体类型调用与其对应的补偿电阻值。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，包括：采用寄生参数提取工具提取所述连接区的等效电阻，以生成参考电阻值。
[0015]根据本公开的一个方面，提供一种仿真系统，包括：模型构建组件，用于构建目标结构的版图模型，所述目标结构包括连接区，所述连接区包括连接体和与所述连接体连接的上下膜层；提取组件，用于根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，所述参考电阻值包括所述连接体的等效电阻值及所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻；计算组件，用于根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，所述补偿电阻值包含所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻值；仿真组件，用于将所述补偿电阻值带入前仿模型中进行前仿真。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接区中包含多个所述连接体，所述参考电阻值还包括相邻两个所述连接体之间的寄生电阻，所述补偿电阻值还包含相邻所述连接体之间的寄生电阻值。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接区的数量为多个，且多个所述连接区中至少两个所述连接区的连接体类型不同；所述提取组件包括：第一提取模块，用于获取所述连接区中所述连接体的类型，所述连接体的类型包括所述连接体的数量；第二提取模块，用于获取所述连接区的所述参考电阻值，以得到不同类型的所述连接体对应的所述参考电阻值。
[0018]在本公开的一种示例性实施例中，所述连接体的类型还包括所述连接体的材料类型。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，所述仿真系统还包括：运算组件，用于根据多个不同数量的所述连接体对应的所述补偿电阻值推算另一种数量的所述连接体对应的所述补偿电阻值。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述仿真系统还包括：调用组件，用于根据所述连接体类型及各所述补偿电阻值形成调用信息，所述调用信息包括所述连接体类型及与所述连接体类型一一对应的补偿电阻值；存储组件，用于存储所述调用信息，以在所述前仿真中根据所述连接体类型调用与其对应的补偿电阻值。
[0021]在本公开的一种示例性实施例中，所述提取组件采用寄生参数提取工具提取所述连接区的等效电阻，以生成参考电阻值。
[0022]本公开的仿真方法及仿真系统，可构建包含连接区的版图模型，进而通过版图模型获取连接区的参考电阻值，通过参考电阻值与连接区的连接体的等效电阻值计算该连接
体对应的补偿电阻值，再将补偿电阻值带入前仿真过程中进行前仿真。在此过程中，可通过补偿电阻值量化连接体与上下膜层之间的寄生电阻，使得前仿真的等效电阻中既包含连接体的电阻又包含连接体与上下层之间的等效电阻，进而使得前仿真过程中的等效电阻更准确，进而减小前仿真与后仿真过程中连接区的等效电阻的差异，即可提高电阻设计的准确度，又可缩短电阻仿真过程中的电路调整过程，节省仿真时间。
[0023]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本公开一实施方式中仿真方法的流程图；
[0026]图2为本公开实施方式中电阻的示意图；
[0027]图3为对应于图1中步骤S120的流程图；
[0028]图4为本公开实施一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种仿真方法，其特征在于，包括：构建目标结构的版图模型，所述目标结构包括连接区，所述连接区包括连接体和与所述连接体连接的上下膜层；根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，所述参考电阻值包括所述连接体的等效电阻值及所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻；根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，所述补偿电阻值包含所述连接体与所述上下膜层之间的寄生电阻值；将所述补偿电阻值带入前仿模型中进行前仿真。2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，所述连接区中包含多个所述连接体，所述参考电阻值还包括相邻两个所述连接体之间的寄生电阻，所述补偿电阻值还包含相邻所述连接体之间的寄生电阻值。3.根据权利要求1或2所述的仿真方法，其特征在于，所述连接区的数量为多个，且多个所述连接区中至少两个所述连接区的连接体类型不同；所述根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，包括：获取所述连接区中所述连接体的类型，所述连接体的类型包括所述连接体的数量；获取所述连接区的所述参考电阻值，以得到不同类型的所述连接体对应的所述参考电阻值。4.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，所述连接体的类型还包括所述连接体的材料类型。5.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，所述仿真方法还包括：根据多个不同数量的所述连接体对应的所述补偿电阻值推算另一数量的所述连接体对应的所述补偿电阻值。6.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，所述根据所述参考电阻值及所述连接体的等效电阻值计算所述连接体的补偿电阻值，包括：根据每个所述连接区对应的所述参考电阻值与每个所述连接区的所有连接体的等效电阻值的差值计算各所述连接区对应的补偿电阻值。7.根据权利要求4所述的仿真方法，其特征在于，所述仿真方法还包括：根据所述连接体类型及各所述补偿电阻值形成调用信息，所述调用信息包括所述连接体类型及与所述连接体类型一一对应的补偿电阻值；存储所述调用信息，以在所述前仿真中根据所述连接体类型调用与其对应的补偿电阻值。8.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，所述根据所述版图模型提取所述连接区的参考电阻值，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱安平，赵康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：