一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法技术

本发明专利技术提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与有源区的不同宽度对应的多晶硅CD的工艺值；提供包含不同宽度的有源区以及分别与不同宽度的有源区对应的同一个多晶硅CD形成的版图图形；对版图图形进行分段；按照有源区的不同宽度对有源区进行分组；计算每一个有源区宽度对应的多晶硅CD与多晶硅CD的工艺值之间的偏差；根据分组与所述偏差对多晶硅CD进行修正；对版图图形进行检查以符合版图的设计规则。本发明专利技术的方法可以检测不同有源区宽度下的多晶硅CD的变化，可以减少实际工艺中带来的电性偏差，提高器件性能。提高器件性能。提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法。

技术介绍

[0002]55nm逻辑工艺栅宽(即器件沟道长度)最小设计尺寸为54nm，多晶硅CD(Poly CD)的变化对晶体管电性参数有较大影响，根据FEM结果，W9L0.054的MOS管Idsat随Poly CD变化的幅度分别有RVTN～11uA/um，RVTP～5uA/um；
[0003]在55LP平台MPW与量产品中均发现，不同有源区宽度(AA width)上实际做出的poly刻蚀CD有较大差异，在同一shot中不同AA Width的器件CD最大可差约为4.5nm，这一差距将造成器件电性偏移。由于CMOS设计结构固定，这一差异无法从设计修正，并且随着节点不断减小，将影响chip区域更多尺寸的晶体管的电学性能和电路工作效率；
[0004]现有的OPC修正方法是通过pitch控制光刻胶的形貌在一个比较小的范围内波动，但量测位置均有相同line＝0.054与pitch＝0.252时仍有此差异，即无法通过pitch修正；
[0005]现有光罩上用来检查OPC修正的测试键(testkey)均只考虑poly当层的规则(rule)及工艺偏差(bias)，并未监测不同AA width上的poly CD变化。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，用于解决现有技术中无法监测不同有源区宽度对应的多晶硅CD变化的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，至少包括：
[0008]步骤一、提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与所述有源区的不同宽度对应的所述多晶硅CD的工艺值；
[0009]步骤二、提供包含所述不同宽度的有源区以及分别与所述不同宽度的有源区对应的同一个所述多晶硅CD形成的版图图形；
[0010]步骤三、对所述版图图形进行分段；
[0011]步骤四、按照所述有源区的不同宽度对所述有源区进行分组；
[0012]步骤五、计算每一个有源区宽度对应的多晶硅CD与多晶硅CD的工艺值之间的偏差；根据所述分组与所述偏差对所述多晶硅CD进行修正；
[0013]步骤六、对所述版图图形进行检查以符合版图的设计规则。
[0014]优选地，步骤一中的所述多晶硅CD为晶体管工艺中多晶硅的关键尺寸设计值。
[0015]优选地，步骤一中的所述多晶硅CD的工艺值为与所述多晶硅CD对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际CD。
[0016]优选地，步骤二中的所述版图图形包括有源区图形和多晶硅图形，所述有源区图
形和所述多晶硅图形分别位于不同的层。
[0017]优选地，步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述多晶硅图形的长边和短边分别进行分段。
[0018]优选地，步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述有源区图形的长边和短边分别进行分段。
[0019]优选地，步骤五中对所述多晶硅CD进行修正的方法包括：对所述多晶硅CD进行扩大。
[0020]优选地，步骤五中对所述多晶硅CD进行修正的方法包括：对所述多晶硅CD进行缩小。
[0021]优选地，步骤五中基于分段后的所述版图图形对所述多晶硅CD进行修正。
[0022]优选地，步骤五中基于分段后的所述版图图形对所述多晶硅CD进行修正。
[0023]如上所述，本专利技术的优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，具有以下有益效果：本专利技术的方法可以检测不同有源区宽度下的多晶硅CD的变化，可以减少实际工艺中带来的电性偏差，提高器件性能。
附图说明
[0024]图1至图3分别显示为本专利技术中不同有源区宽度对应的相同的多晶硅CD的版图结构示意图；
[0025]图4显示为本专利技术优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法流程图。
具体实施方式
[0026]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0027]请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0028]本专利技术提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，如图4所示，图4显示为本专利技术中优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
[0029]步骤一、提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与所述有源区的不同宽度对应的所述多晶硅CD的工艺值；
[0030]本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中的所述多晶硅CD为晶体管工艺中多晶硅的关键尺寸设计值。
[0031]本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中的所述多晶硅CD的工艺值为与所述多晶硅CD对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际CD。
[0032]该步骤一提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与所述有源区的不同宽度对应的所述多晶硅CD的工艺值；本实施例的所述多晶硅CD为晶体管工艺
中多晶硅的关键尺寸设计值。所述多晶硅CD的工艺值为与所述多晶硅CD对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际CD。
[0033]步骤二、提供包含所述不同宽度的有源区以及分别与所述不同宽度的有源区对应的同一个所述多晶硅CD形成的版图图形；如图1至图3所示，图1至图3分别显示为本专利技术中不同有源区宽度对应的相同的多晶硅CD的版图结构示意图。其中多晶硅的CD在图1至图3中都相同，有源区(AA)的宽度在图1至图3中均彼此不相同。
[0034]本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中的所述版图图形包括有源区图形和多晶硅图形，所述有源区图形和所述多晶硅图形分别位于不同的层。图1中由多晶硅图形01和有源区图形02组合构成一个版图图形，在其他实施例中，该版图图形还可以包括其他图形。图2中由多晶硅图形01和有源区图形02构成另一个版图图形；在其他实施例中，该版图图形还可以包括其他图形。图3中由多晶硅图形01和有源区图形02构成不同于图1和图2中的版图图形；在其他实施例中，该版图图形还可以包括其他图形。因此，图1至图3分别为三个不同的版图图形每个版图图形中，多晶硅图形位于一层，有源区图形位于另一层。
[0035]步骤三、对所述版图图形进行分段；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与所述有源区的不同宽度对应的所述多晶硅CD的工艺值；步骤二、提供包含所述不同宽度的有源区以及分别与所述不同宽度的有源区对应的同一个所述多晶硅CD形成的版图图形；步骤三、对所述版图图形进行分段；步骤四、按照所述有源区的不同宽度对所述有源区进行分组；步骤五、计算每一个有源区宽度对应的多晶硅CD与多晶硅CD的工艺值之间的偏差；根据所述分组与所述偏差对所述多晶硅CD进行修正；步骤六、对所述版图图形进行检查以符合版图的设计规则。2.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，其特征在于：步骤一中的所述多晶硅CD为晶体管工艺中多晶硅的关键尺寸设计值。3.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，其特征在于：步骤一中的所述多晶硅CD的工艺值为与所述多晶硅CD对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际CD。4.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，其特征在于：步骤二中的所述版图图形包括有源区图形和多晶硅图形，所述有源区图形和所述多晶硅图形分别位于不同的层。5.根据权利要求4所述的优化不同尺寸晶体管电性...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱辰雨，袁洋，李磊，朱作华，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：