一种HDI印制电路板的制作方法及HDI印制电路板技术

本发明专利技术实施例公开了一种HDI印制电路板的制作方法及HDI印制电路板。该制作方法包括：在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜；利用刻蚀掩膜，对面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将刻蚀掩膜的图形转移至面铜层上。本发明专利技术实施例解决了现有HDI印制电路板产品棕化反粘不良的问题，能够有效去除去棕化后的残胶，避免线路之间的短路，改善电路板的品质，提升电路板的良率，根据试验结果，能够从现有制备工艺50％左右的良率提升至65

【技术实现步骤摘要】
一种HDI印制电路板的制作方法及HDI印制电路板


[0001]本专利技术实施例涉及印刷电路板
，尤其涉及一种HDI印制电路板的制作方法及HDI印制电路板。

技术介绍

[0002]随着电子技术的高速发展，印制电路板已越来越趋向于轻、薄、短小化，高密度互连HDI技术的应用已成为必然之趋。高阶HDI产品需要多次制作压合、镭射、线路，在制作细线路2.0/2.0mil线宽线距时，基本属于零缺陷标准，在制作过程中对产品良率更大的挑战。
[0003]目前，在大批量生产的情况下，棕化膜去除是一个很大难题，随着产量的提升，去除后的棕化会有残渣反粘到板面上去，沉铜除胶无法去除干净。图1是相关技术中电路板残胶不良的示意图，由图1圈出区域可以看出，线路之间的棕化残渣会影响走线刻蚀，导致走线之间短路，降低电路板的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种HDI印制电路板的制作方法及HDI印制电路板，以有效去除棕化膜残胶，提高电路板的良率。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种HDI印制电路板的制作方法，包括：
[0006]在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜；
[0007]利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上。
[0008]可选地，在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜之前，还包括：
[0009]将多个芯板进行压合，形成所述多层板，其中，所述多层板在厚度方向上相互背离的两侧表面形成有所述面铜层；
>[0010]对所述面铜层进行减铜处理；
[0011]对所述面铜层进行棕化处理形成棕化层；
[0012]对棕化处理后的所述多层板进行激光镭射钻孔；
[0013]去除所述多层板上的所述棕化层；
[0014]对所述多层板依次进行沉铜和电镀工艺。
[0015]可选地，利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上之后，还包括：
[0016]对所述面铜层进行光学检测。
[0017]可选地，利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上，包括：
[0018]利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行酸性刻蚀，去除部分厚度的所述面铜层；
[0019]利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行碱性刻蚀，去除剩余厚度的所述面铜层；其中，所述酸性刻蚀去除的所述面铜层的厚度大于所述碱性刻蚀去除的所述面铜层的厚度。
[0020]可选地，利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行酸性刻蚀，去除部分厚度的所述面铜层，包括：
[0021]利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行酸性刻蚀，去除总厚度的1/2～11/15的所述面铜层。
[0022]可选地，对所述面铜层进行酸性刻蚀，包括：
[0023]采用盐酸、氧化剂和氯化铜的混合溶液，对所述面铜层进行酸性刻蚀。
[0024]可选地，对所述面铜层进行酸性刻蚀，包括：
[0025]以6.2～6.6m/min的过板速度和70～80s的反应时间，对所述面铜层进行酸性刻蚀。
[0026]可选地，对所述面铜层进行碱性刻蚀，包括：
[0027]采用氨水、氯化铵和水的混合溶液，对所述面铜层进行碱性刻蚀。
[0028]可选地，对所述面铜层进行碱性刻蚀，包括：
[0029]以6.5～7.5m/min的过板速度和30～40s的反应时间，对所述面铜层进行碱性刻蚀。
[0030]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种HDI印制电路板，采用如第一方面所述的HDI印制电路板的制作方法制作而成。
[0031]本专利技术实施例的技术方案，首先通过在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜，然后利用刻蚀掩膜，对面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将刻蚀掩膜的图形转移至面铜层上，可以在将面铜层进行图形化形成线路的同时，对去棕化后的残胶进行分解。本专利技术实施例解决了现有HDI印制电路板产品棕化反粘不良的问题，能够有效去除去棕化后的残胶，避免线路之间的短路，改善电路板的品质，提升电路板的良率，根据试验结果，能够从现有制作工艺50％左右的良率提升至65
‑
70％，使良率有效提升15
‑
20％。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是相关技术中电路板残胶不良的示意图；
[0034]图2是本专利技术实施例提供的一种HDI印制电路板的制作方法的流程图；
[0035]图3是本专利技术实施例提供的另一种HDI印制电路板的制作方法的流程图；
[0036]图4是本专利技术实施例提供的又一种HDI印制电路板的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0038]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。需要注意的是，本专利技术实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所
示的角度来进行描述的，不应理解为对本专利技术实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0039]本专利技术使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”。
[0040]需要注意，本专利技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对相应内容进行区分，并非用于限定顺序或者相互依存关系。
[0041]需要注意，本专利技术中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
[0042]图2是本专利技术实施例提供的一种HDI印制电路板的制作方法的流程图，参考图2，该HDI印制电路板的制作方法包括：
[0043]S110、在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜；
[0044]其中，本领域技术人员可知，多层板是指将多个芯板以及铜箔进行压合后形成的多层板，芯板中包括基材层以及底铜层，而铜箔在压合后会在多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HDI印制电路板的制作方法，其特征在于，包括：在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜；利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在多层板的面铜层上形成刻蚀掩膜之前，还包括：将多个芯板进行压合，形成所述多层板，其中，所述多层板在厚度方向上相互背离的两侧表面形成有所述面铜层；对所述面铜层进行减铜处理；对所述面铜层进行棕化处理形成棕化层；对棕化处理后的所述多层板进行激光镭射钻孔；去除所述多层板上的所述棕化层；对所述多层板依次进行沉铜和电镀工艺。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上之后，还包括：对所述面铜层进行光学检测。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层依次进行酸性刻蚀和碱性刻蚀，直至将所述刻蚀掩膜的图形转移至所述面铜层上，包括：利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行酸性刻蚀，去除部分厚度的所述面铜层；利用所述刻蚀掩膜，对所述面铜层进行碱性刻蚀，去除剩余厚度的所述面铜层；其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴成福，黎钦源，
申请(专利权)人：广州广合科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：