制造部件承载件的方法以及部件承载件技术

本申请描述了制造部件承载件(100)的方法以及部件承载件(100)，其中，该方法包括：i)提供金属层(110)，该金属层特别地是铜层；ii)在金属层(110)上形成膜(120)；iii)对膜(120)进行图案化，以使金属层的一部分(111)暴露；iv)进行第一蚀刻，由此使膜(120)变薄并移除被暴露的金属层(110)的另一部分(112)；以及之后，(v)进行第二蚀刻，由此形成与金属层(110)在空间上分开的至少一个金属迹线。间上分开的至少一个金属迹线。间上分开的至少一个金属迹线。

【技术实现步骤摘要】
制造部件承载件的方法以及部件承载件


[0001]本专利技术涉及制造部件承载件的方法，特别地涉及制造部件承载件金属迹线的方法，更特别地涉及使用蚀刻进行制造的方法。此外，本专利技术涉及通过该方法所制造的部件承载件。
[0002]因此，本专利技术可以涉及制造部件承载件比如印刷电路板或IC基板的


技术介绍

[0003]在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加以及这种电子部件的日益小型化以及要被安装在部件承载件比如印刷电路板上的电子部件的数量不断增加的背景下，采用了具有多个电子部件的越来越强大的阵列状部件或封装件，这些阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部，其中，这些接触部之间的间隔越来越小。在操作期间去除由这样的电子部件和部件承载件本身产生的热成为与日俱增的问题。此外，针对电磁干扰(EMI)的有效保护也成为日益严重的问题。同时，部件承载件应当是机械上稳固且电气上可靠的，以便即使在恶劣条件下也能够操作。
[0004]特别地，为了提供具有特定质量的电传导迹线而精确蚀刻部件承载件可能被认为是一种挑战。
[0005]根据示例，制造电传导迹线的过程可以被描述为：光致抗蚀部保护不应被蚀刻掉的铜路径，而应该被蚀刻掉的铜区域不被光致抗蚀部覆盖。首先，为此目的，整个铜层都被光致抗蚀部覆盖。然后，通过掩模，光致抗蚀部通过紫外线被图案化。掩模仅在光致抗蚀部应保留的位置(即应提供所需的导体迹线的位置)处使紫外线通过。在显影期间，抗蚀部(和聚合物分别)在暴露于紫外线的位置处交联(cross
>‑
linking)。显影后，(分别)未暴露(和未显影)的光致抗蚀部可以容易地被洗掉。随后，对相应的部件承载件预制件进行蚀刻。光致抗蚀部保护导体迹线，而未被光致抗蚀部覆盖的铜被蚀刻/移除。当蚀刻过程完成时，光致抗蚀部被分别移除和剥离(光致抗蚀部交联并固化)，并且电传导迹线被保留。
[0006]然而，要达到特定的线间距比(小型化)和/或准确的蚀刻因子(定义参见图4)可能被认为是一种挑战，特别是在对厚铜层进行蚀刻时更是如此。

技术实现思路

[0007]可能需要以准确且可靠的方式提供部件承载件金属迹线。
[0008]提供了根据本专利技术的方面的制造方法和部件承载件。
[0009]根据本专利技术的方面，描述了一种制造部件承载件的方法，其中，该方法包括：
[0010]i)提供金属层(金属层特别地是铜层、更特别地是厚铜层)，
[0011]ii)在金属层上提供膜(膜例如为干膜或湿膜、特别地是干光致抗蚀部)
[0012]iii)对膜(例如使用光成像)进行图案化，以使金属层的区域(部分)暴露(特别是使膜下方的上主表面的一部分暴露)，
[0013]iv)进行(执行)第一蚀刻，由此将被暴露的金属层的部分(另一部分)移除(特别
地，从上主表面移除，金属层的该另一部分可以包括金属层的该部分)并保持膜120的厚度(特别地使膜变薄)，以及之后
[0014]v)进行(执行)第二蚀刻，由此形成与金属层(的其余部分)在空间上分开的至少一个金属迹线(特别地，金属层与金属迹线由将金属迹线与金属层的其余部分分开的蚀刻出的腔分开)(换言之：在与进行第一蚀刻相同的区域上进行第二蚀刻，其中，所述第二蚀刻配置成将被暴露的金属层的第二部分(由第一蚀刻产生)移除，由此沿着金属层在被蚀刻的所述区域中的厚度来分割金属层)。
[0015]根据本专利技术的另一方面，描述了一种部件承载件(特别地是通过上述方法制造的部件承载件)，该部件承载件包括具有至少一个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构的叠置件。因此，所述至少一个电传导层结构包括并排设置的金属迹线和另外的金属迹线。部件承载件还包括以下特征中的至少一者：
[0016]i)金属迹线和另外的金属迹线中的每一者均具有40μm或更小的底侧线宽L1；
[0017]ii)金属迹线和另外的金属迹线被45μm或更小的底侧间距S间隔开；
[0018]iii)金属迹线和另外的金属迹线中的每一者的顶侧线宽L2为相应的底侧线宽L1的至少80％；
[0019]iv)金属迹线和另外的金属迹线中的每一者均具有30μm或更大的竖向厚度z。
[0020]在本文件的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够在该部件承载件上和/或该部件承载件中容置一个或更多个部件以用于提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以构造为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层、金属芯基板、有机基板和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件还可以是混合板，该混合板组合了上述类型的部件承载件中的不同类型的部件承载件。术语“部件承载件预制件”可以指最终的部件承载件的将在多个过程步骤之后产生的半成品。预制件可以例如是包括多个(半成品)部件承载件的面板，所述多个(半成品)部件承载件将在另外的制造步骤中被分开。
[0021]在本文件中，术语“蚀刻(过程)”特别地可以表示部件承载件、特别是电路板和/或基板的制造过程，该过程包括对金属、特别是铜的蚀刻，以由此提供期望的金属(电传导)结构(比如金属迹线)。根据蚀刻，可以移除金属材料和/或膜材料。蚀刻可以是湿蚀刻、干蚀刻、等离子体蚀刻中的一者，特别地，蚀刻可以是预处理蚀刻(descum etch)。在特定实施方式中，第一蚀刻步骤可以由钻孔代替。
[0022]在本文件中，术语“金属迹线”可以指可用作电导体的任何金属(特别是铜)结构。这种导体迹线可以用在部件承载件中从而以特定的方式(在特定方向上)传输电信号。可以通过使用蚀刻将金属层分开而在金属层上制造多个金属迹线。
[0023]在本文件的上下文中，术语“膜”可以特别地指适合覆盖金属层(的表面)的任何薄层(例如箔)。特别地，该膜可以被图案化，由此产生使被覆盖金属层的部分暴露的孔。在示例中，膜构造成通过光成像、特别是光刻来被图案化。在另外的示例中，膜包括树脂材料(和/或介电材料)、比如有机材料。在优选示例中，膜可以包括光致抗蚀部(正性的(例如DNQ
‑
酚醛清漆)或负性的(例如环氧基聚合物))。光致抗蚀部可以是光聚合的、光分解的或光交联的。
[0024]根据示例性实施方式，本专利技术可以基于下述构思：当被图案化的膜所覆盖的金属
层经受(至少)两种不同的蚀刻步骤以由此将金属迹线与金属层的其余部分分开时，可以以准确且可靠的方式提供部件承载件金属迹线。具体而言，图案化的膜使金属层表面的部分暴露于蚀刻步骤。第一蚀刻步骤将金属层的部分移除(并形成小的腔)并保留膜(的部分)。第二蚀刻步骤从金属层移除足够的材料，使得形成大的腔，优选地，所述第二蚀刻不会(基本上不会)影响膜(即不会影响从金属层的竖向厚度的顶部延伸至底部的腔)。以这种方式，第一蚀刻优选地影响膜(厚度减小)和金属层，而第二蚀刻仅影响金属层。换言之，金属层可以在第一步骤中被部分蚀刻并且在第二步骤中被完全蚀刻。
[0025]通过使用这些措施，可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：提供金属层(110)，特别地，所述金属层(110)是铜层；在所述金属层(110)上提供膜(120)；对所述膜(120)进行图案化，以使所述金属层(110)的区域(111)暴露；进行第一蚀刻，由此将被暴露的金属层(110)的部分(112)移除并保持所述膜(120)的厚度；以及之后进行第二蚀刻，由此形成与所述金属层(110)在空间上分开的至少一个金属迹线(130)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述金属迹线(130)还包括：通过所述第一蚀刻和所述第二蚀刻在所述金属层(110)中形成第一腔(140)，以及通过所述第一蚀刻和所述第二蚀刻在所述金属层(110)中形成另外的腔(141)，从而使得：所述金属迹线(130)位于所述第一腔(140)与所述另外的腔(141)之间。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，进行所述第一蚀刻和所述第二蚀刻的区域包括位于所述部件承载件的主表面中的一个主表面上的相邻的至少两个子区域，其中，所述至少两个子区域以彼此相距一距离的方式设置，以在所述至少两个子区域之间形成所述金属迹线(130)，特别地，其中，通过所述膜(120)的图案化来限定相邻的所述至少两个子区域。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一蚀刻包括湿蚀刻或干蚀刻，特别地，所述第一蚀刻包括等离子体蚀刻，更特别地，所述第一蚀刻包括预处理蚀刻。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第二蚀刻包括湿蚀刻或干蚀刻。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述膜(120)是对所述第二蚀刻有抗性的；以及/或者其中，所述膜(120)是对所述第一蚀刻没有抗性的。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在进行所述第一蚀刻期间使所述膜(120)变薄。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括：将所述膜(120)的部分移除，以及由此：使所述金属层(110)的暴露的所述区域(111)扩大。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一蚀刻和/或所述第二蚀刻是各向同性蚀刻，特别地，所述各向同性蚀刻包括各向同性蚀刻剂，更特别地，所述各向同性蚀刻包括氯化铜。10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，对所述膜(120)进行图案化包括：在所述膜(120)中形成至少一个暴露区域，其中，所述至少一个暴露区域的侧壁(125)随着靠近所述金属层(110)渐缩。11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，形成所述膜(120)包括：将所述膜(120)层压到所述金属层(110)上。12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，形成所述膜(120)包括：
提供所述膜(120)，特别地，提供在变薄之前具有12μm或更大的厚度的所述膜(120)，特别地，提供在变薄之前具有14μm或更大的厚度的所述膜(120)。13.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，保持所述厚度包括：使所述膜(120)变薄，特别地，使所述膜(120)变薄至初始厚度的90％或更小，特别地，使所述膜(120)变薄至初始厚度的75％或更小。14.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述膜(120)为干膜或湿膜。15.根据前...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏雨，阿尔坦，
申请(专利权)人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：