【技术实现步骤摘要】
封装结构、MEMS器件以及终端设备
[0001]本技术涉及芯片封装
,尤其涉及一种封装结构、MEMS器件以及终端设备。
技术介绍
[0002]微机电系统(Micro Electromechanical System,MEMS)是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。MEMS器件中例如陀螺仪、加速度计、谐振器等对应力非常敏感,原因是应力可以改变MEMS敏感结构的刚度以及谐振频率,使得敏感结构与机械应力或热应力之间形成不期望的耦合作用,因而如何降低MEMS器件本身的内部应力并降低机械应力对MEMS器件的影响是提高MEMS器件性能的关键。
[0003]由于MEMS器件在封装的过程中,会引入粘胶、键合、打线、回流等工艺流程,这些工艺流程会给MEMS器件引入机械应力,而不同热膨胀系数CTE的材料和升降温过程也会给MEMS器件引入热应力。因而引入的应力会影响MEMS器件的测量精度,甚至会造成MEMS器件产生形变而导致MEMS器件的性能下降。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括至少一个悬臂梁、通过所述悬臂梁连接的第一区域和第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的镂空部,所述第一区域设有支撑框架,所述第二区域在厚度方向上设有应力隔离结构和MEMS芯片,所述应力隔离结构的内部设有第一空腔,所述第一空腔用于填充柔性材料且位于所述MEMS芯片的下方。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述应力隔离结构包括基部和位于所述基部上的第一凸起部,所述第一凸起部的长度小于所述基部的长度,所述MEMS芯片位于所述第一凸起部上。3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述柔性材料靠近所述MEMS芯片的表面与所述第一凸起部靠近所述MEMS芯片的表面平齐。4.根据权利要求1
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3任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第一空腔的深度小于等于所述应力隔离结构的厚度。5.根据权利要求2或3所述的封装结构,其特征在于,所述第一空腔的深度小于等于所述第一凸起部的高度,所述第一空腔的宽度小于等于所述第一凸起部的宽度。6.根据权利要求2或3所述的封装结构,其特征在于,所述第二区域还设有止挡部,所述止挡部位于所述应力隔离结构的基部上且与所述MEMS芯片具有间隔距离以形成第二空腔,所述第二空腔用于填充柔性材料,所述止挡部的高度大于等于所述第一凸起部的厚度和所述MEMS芯片的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛应林,安力佳,
申请(专利权)人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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