一种MEMS器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。这样能有效避免对粘附金属层的过刻蚀，避免出现底切现象，保证金属引线的可靠性，进一步保证MEMS器件的可靠性、电学性能和良率。电学性能和良率。电学性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MEMS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS,Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System)，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。当前，MEMS器件的应用非常广泛，而MEMS器件中的金属引线往往采用双层金属引线，因为双层金属引线有良好的附着力、较低的残余应力和优异的导电性。
[0003]然而，现有技术中的双层金属引线，由于在刻蚀过程中的各向腐蚀问题，往往会出现严重的底切现象，即下方粘附金属层引线宽度小于上方引线金属层引线宽度。底切直接影响金属引线可靠性，进一步影响MEMS器件的可靠性、电学性能和良率，底切增大到一定程度，MEMS器件将直接报废。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的MEMS器件及其制备方法。
[0005]第一方面，提供一种MEMS器件的制备方法，包括：
[0006]提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；
[0007]刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；
[0008]形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；
[0009]以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。
[0010]可选的，所述引线金属层为Au层，所述粘附金属层为Cr层；或者，所述引线金属层为Cu层，所述粘附金属层为Ti层。
[0011]可选的，所述刻蚀所述引线金属层，包括：采用目标掩膜板刻蚀所述引线金属层；所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：采用所述目标掩膜板，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶。
[0012]可选的，所述刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层，包括：在所述引线金属层上形成覆盖所述引线金属层的第二光刻胶层；采用目标掩膜板曝光和显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层；以所述图形化的第二光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层。
[0013]可选的，所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：形成覆盖所述引线金属层以及裸露的所述粘附金属层的第一光刻胶层；采用目标掩膜板曝光和显影所述第一光刻胶层，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层。
[0014]可选的，所述以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，包括：以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述粘附金属层。
[0015]可选的，所述湿法刻蚀工艺为浸泡式湿法刻蚀工艺。
[0016]可选的，在所述刻蚀所述粘附金属层之后，还包括：去除所述第一光刻胶层。
[0017]第二方面，提供一种MEMS器件，包括：
[0018]衬底和位于所述衬底之上的图形化的双层金属走线，所述双层金属走线包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；
[0019]其中，所述双层金属走线采用第一方面任一所述的制备方法所制备。
[0020]可选的，所述粘附金属层的走线宽度大于所述引线金属层的走线宽度。
[0021]本专利技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0022]本专利技术实施例提供的MEMS器件及其制备方法，在刻蚀引线金属层，形成图形化的引线金属层之后，没有继续直接进行粘附金属层的刻蚀，而是形成包覆引线金属层的图形化的第一光刻胶层，再以图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀粘附金属层，形成图形化的双层金属走线，这样通过第一光刻胶层的阻挡，一方面使粘附金属层在湿法刻蚀时，能隔绝于引线金属层3，避免两种不同类型的金属在腐蚀液中接触，另一方面，增加粘附金属层的阻挡层宽度，能有效避免对粘附金属层的过刻蚀，避免出现底切现象，保证金属引线的可靠性，进一步保证MEMS器件的可靠性、电学性能和良率。
[0023]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0024]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0025]图1为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图一；
[0026]图2为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图二；
[0027]图3为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图三；
[0028]图4为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图四；
[0029]图5为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的流程图；
[0030]图6为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图五；
[0031]图7为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图六；
[0032]图8为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图七；
[0033]图9为本专利技术实施例中MEMS器件的制备方法的工艺示意图八；
[0034]图10为本专利技术实施例中MEMS器件的示意图。
具体实施方式
[0035]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以
避免不必要地混淆本公开的概念。
[0036]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0037]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0038]请参阅图1
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4，当前形成双层金属走线的工艺方法为，先在衬底1上依次形成粘附金属层2和引线金属层3，并如图1所示形成图形化的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述引线金属层为Au层，所述粘附金属层为Cr层；或者，所述引线金属层为Cu层，所述粘附金属层为Ti层。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述刻蚀所述引线金属层，包括：采用目标掩膜板刻蚀所述引线金属层；所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：采用所述目标掩膜板，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层，包括：在所述引线金属层上形成覆盖所述引线金属层的第二光刻胶层；采用目标掩膜板曝光和显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层；以所述图形化的第二光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述引线金属层，形成图形化...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜德冲，范坤，罗大杰，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：