一种光学微机电结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种光学微机电结构及其制作方法，该结构包括检测质量块、多条下层支撑系绳、多条上层支撑系绳、悬浮波导及光学谐振腔，其中，检测质量块包括Z方向上依次层叠的底层、中间层及顶层，多条下层支撑系绳分布于检测质量块的X方向两侧并与底层连接，多条上层支撑系绳分布于检测质量块的X方向两侧并与顶层连接，悬浮波导位于检测质量块的Y方向一侧，光学谐振腔包括连接于检测质量块的第一光学晶体条及连接于悬浮波导的第二光学晶体条。本发明专利技术的光学微机电结构中检测质量块为三层结构，可以极大增加检测质量块的质量，减少由热

【技术实现步骤摘要】
一种光学微机电结构及其制作方法


[0001]本专利技术属于微机电系统
，涉及一种光学微机电结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在过去的几十年中，微机电系统(MEMS)技术被认为是当代最有前途的技术之一，被广泛用于各个领域。MEMS技术通过将硅基微电子技术与微机械加工技术相结合，促使研究领域和工业领域发生了革命性的变化。其中，光学MEMS(optoMEMS)传感器将光学元件集成到传统MEMS技术中，将MEMS传感器的优势与光学检测的特点相结合。
[0003]与传统MEMS传感器相比，optoMEMS传感器具有不可替代的特性，包括快速响应、高精度和抗电磁干扰(EMI)干扰。因此，optoMEMS传感器已在广泛的应用中得到大量的研究，包括但不限于陀螺仪、传感仪和加速度计。然而，由于光微机电器件的小型化，噪声管理已经成为提高光微机电传感器性能的最重要因素之一。
[0004]其中热机械噪声在限制光微机电传感器的性能方面占主导地位。因此，如何降低光电传感器中的机械热噪声，对于实现高灵敏度的光学机电系统传感器是至关重要的。值得注意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学微机电结构，其特征在于，包括：检测质量块，包括在Z方向上依次层叠的底层、中间层及顶层；多条下层支撑系绳，分布于所述检测质量块的X方向两侧并与所述底层连接；多条上层支撑系绳，分布于所述检测质量块的X方向两侧并与所述顶层连接；悬浮波导，位于所述检测质量块的Y方向一侧；光学谐振腔，包括沿Y方向排列且间隔设置的第一光学晶体条及第二光学晶体条，所述第一光学晶体条连接于所述检测质量块，所述第二光学晶体条连接于所述悬浮波导，所述X方向、所述Y方向及所述Z方向相互垂直。2.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述检测质量块沿X方向的长度范围是40微米
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200微米，沿Y方向的宽度范围是40微米
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200微米。3.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述底层沿Z方向的厚度范围是100纳米
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300纳米，所述中间层沿Z方向的厚度范围是300微米
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500微米，所述上层沿Z方向的厚度范围是100纳米
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300纳米。4.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述底层包括氮化硅层，所述中间层包括硅层，所述顶层包括氮化硅层。5.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述下层支撑系绳为沿X方向延伸的直线型，所述上层支撑系绳为沿X方向延伸的直线型。6.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述检测质量块的X方向每一侧的所述下层支撑系绳的数量为30个
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5000个，所述检测质量块的X方向每一侧的所述上层支撑系绳的数量为30个
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5000个。7.根据权利要求1所述的光学微机电结构，其特征在于：所述下层支撑系绳沿X方向的长度范围是300毫米
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700毫米，沿Y方向的宽度范围是300纳米
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500纳米，沿Z方向的厚度范围是100纳米
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300纳米；所述上层支撑系绳沿X方向的长度范围是300毫米
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700毫米，沿Y方向的宽度范围是300纳米
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500纳米，沿Z方向的厚度范围是100纳米
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300纳米。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晨璐，张洪波，任恒江，罗杰，
申请(专利权)人：意子科技私人投资有限公司，
类型：发明
国别省市：